कौन सी अर्धचालक युक्ति विद्युत-ऊर्जा को प्रकाश में परिवर्तित करती है?

निम्नलिखित कथनों $A$ और $B$ पर विचार करें और सही उत्तर की पहचान करें:
$A$. सौर सेल के लिए,$I-V$ अभिलक्षण दिए गए ग्राफ के $IV$ चतुर्थांश में स्थित होते हैं।
$B$. एक रिवर्स बायस्ड $pn$ जंक्शन डायोड में,$(\mu A)$ में मापा गया करंट बहुसंख्यक आवेश वाहकों (majority charge carriers) के कारण होता है।

$\text{LED}$ का $I-V$ अभिलक्षण है $:$

$2.8 \ eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक से एक $p-n$ जंक्शन बनाया गया है। यह किस अनुमानित तरंगदैर्ध्य का पता नहीं लगा सकता है ($nm$ में)?
[ $h = 6 \times 10^{-34} \ J \cdot s$ और $c = 3 \times 10^8 \ m/s$ का उपयोग करें ]

$LED$ बनाने में प्रयुक्त अर्धचालक का बैंड गैप बताइए।

निम्नलिखित कथनों पर विचार करें $:$
$A.$ सौर सेल का जंक्शन क्षेत्रफल फोटोडायोड की तुलना में बहुत बड़ा बनाया जाता है।
$B.$ सौर सेल किसी भी बाहरी बायस से नहीं जुड़े होते हैं।
$C.$ $\text{LED}$ भारी डोपित (heavily doped) $p-n$ जंक्शन से बनी होती है।
$D.$ फॉरवर्ड करंट में वृद्धि के परिणामस्वरूप $\text{LED}$ प्रकाश की तीव्रता में निरंतर वृद्धि होती है।
$E.$ प्रकाश के उत्सर्जन के लिए $\text{LED}$ को फॉरवर्ड बायस में जोड़ा जाना चाहिए।
निम्नलिखित में से कौन से कथन सही हैं?