$\text{LED}$ का $I-V$ अभिलक्षण है $:$

पदार्थ $A$ का उपयोग करके सौर विकिरण के emf में कुशल रूपांतरण के लिए एक सौर सेल बनाया जाना है। सौर सेल को पदार्थ $B$ के कोटिंग की मदद से यांत्रिक रूप से सुरक्षित किया जाना है। यदि पदार्थों $A$ और $B$ की बैंड गैप ऊर्जा क्रमशः $E_{A}$ और $E_{B}$ है,तो सौर सेल के बेहतर प्रदर्शन के लिए निम्नलिखित में से कौन सा विकल्प इष्टतम है?

ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरण क्या हैं? ऐसे प्रमुख उपकरणों के नाम बताइए।

एक $LED$ के लिए विद्युत चुम्बकीय स्पेक्ट्रम के दृश्य क्षेत्र में प्रकाश उत्सर्जित करने हेतु,इसका ऊर्जा बैंड अंतराल किस सीमा में होना चाहिए? (प्लांक नियतांक,$h = 6.6 \times 10^{-34} \ J s$ और निर्वात में प्रकाश की गति,$c = 3 \times 10^8 \ m s^{-1}$)

$3 \ eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक पदार्थ का उपयोग करके एक $CCD$ कैमरा बनाया गया है। यह जिस प्रकाश की तरंगदैर्ध्य का पता लगा सकता है,वह लगभग है ($nm$ में)

$LED$ एक $p-n$ जंक्शन डायोड है जो