एक फॉरवर्ड-बायस्ड $P-N$ जंक्शन डायोड में,विभव प्राचीर (potential barrier) का व्यवहार कैसा होता है?

एक अनबायस्ड $P-N$ जंक्शन में,होल्स $p-$ क्षेत्र से $n-$ क्षेत्र में विसरित (diffuse) होते हैं क्योंकि

एक अनबायस्ड $n-p$ जंक्शन में,इलेक्ट्रॉन $n-$ क्षेत्र से $p-$ क्षेत्र में विसरित (diffuse) होते हैं क्योंकि

एक सिलिकॉन डायोड में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई $1 \, \mu m$ है और नी विभव (knee potential) $0.6 \, V$ है, तो अवक्षय परत में विद्युत क्षेत्र होगा:

निम्नलिखित विकल्पों में से सौर सेल (solar cell) की विशेषताओं को पहचानें।

दिए गए परिपथ में $I_1$ और $I_2$ ज्ञात कीजिए।