एक अनबायस्ड n-p जंक्शन में,इलेक्ट्रॉन n- क्षे | vedclass

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Question

(D) एक अनबायस्ड $p-n$ जंक्शन में,$p-$ क्षेत्र की तुलना में $n-$ क्षेत्र में मुक्त इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता काफी अधिक होती है।इस सांद्रता प्रवणता (conc

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$p-$ क्षेत्र की तुलना में $n-$ क्षेत्र में इलेक्ट्रॉन सांद्रता अधिक होती है

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(D) एक अनबायस्ड $p-n$ जंक्शन में,$p-$ क्षेत्र की तुलना में $n-$ क्षेत्र में मुक्त इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता काफी अधिक होती है।इस सांद्रता प्रवणता (concentration gradient) के कारण,इलेक्ट्रॉन स्वाभाविक रूप से उच्च सांद्रता वाले क्षेत्र ($n-$ क्षेत्र) से निम्न सांद्रता वाले क्षेत्र ($p-$ क्षेत्र) की ओर विसरित होते हैं।

एक अनबायस्ड $n-p$ जंक्शन में,इलेक्ट्रॉन $n-$ क्षेत्र से $p-$ क्षेत्र में विसरित (diffuse) होते हैं क्योंकि

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नीचे दिए गए चित्र में दिखाए गए आदर्श $PN-$ जंक्शन डायोड से प्रवाहित होने वाली धारा क्या है? ($mA$ में)

चित्र में दिखाए अनुसार एक परिपथ व्यवस्थित है। आउटपुट वोल्टेज ${V}_{0}$ का मान $\ldots \ldots \text{ V}$ के बराबर है।

निम्नलिखित विकल्पों में से सौर सेल (solar cell) की विशेषताओं को पहचानें।

$PN-$जंक्शन डायोड को कैसे जोड़ने पर वह एक कुचालक (insulator) के रूप में कार्य करता है?

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