P-N जंक्शन डायोड का बैरियर विभव (barrier pote | vedclass

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Question

(A) $P-N$ जंक्शन डायोड का बैरियर विभव $(V_B)$ मुख्य रूप से पदार्थ के गुणों (जैसे अर्धचालक का बैंड गैप) और अशुद्धि की सांद्रता (डोपिंग) पर निर्भर करता

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डायोड की डिज़ाइन

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(A) $P-N$ जंक्शन डायोड का बैरियर विभव $(V_B)$ मुख्य रूप से पदार्थ के गुणों (जैसे अर्धचालक का बैंड गैप) और अशुद्धि की सांद्रता (डोपिंग) पर निर्भर करता है। $1$. यह तापमान पर निर्भर करता है: जैसे-जैसे तापमान बढ़ता है, बैरियर विभव कम हो जाता है। $2$. यह डोपिंग सांद्रता पर निर्भर करता है: उच्च डोपिंग स्तर आमतौर पर उच्च बैरियर विभव की ओर ले जाते हैं। $3$. यह लगाए गए फॉरवर्ड बायस से प्रभावित होता है: प्रभावी बैरियर विभव लगाए गए फॉरवर्ड बायस वोल्टेज द्वारा कम हो जाता है $(V_B - V_{	ext{applied}})$. $4$. डायोड की डिज़ाइन (जैसे डायोड का भौतिक आकार या माप) $P-N$ जंक्शन के आंतरिक बैरियर विभव को प्रभावित नहीं करती है। अतः, बैरियर विभव डायोड की डिज़ाइन पर निर्भर नहीं करता है।

$P-N$ जंक्शन डायोड का बैरियर विभव (barrier potential) निम्नलिखित में से किस पर निर्भर नहीं करता है?

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ऑपरेशनल एम्पलीफायर एक

निम्नलिखित में से कौन सा घटक $IC$ (इंटीग्रेटेड सर्किट) से आसानी से प्राप्त नहीं किया जा सकता है?

दी गई आकृति में,बिंदु $A$ का वोल्टेज ............ $V$ है।

जब $P-N$ जंक्शन फॉरवर्ड बायस में होता है,तो डिप्लीशन क्षेत्र और विभव प्राचीर (potential barrier) पर क्या प्रभाव पड़ता है?

$P-N$ जंक्शन में,जब बायसिंग . . . होती है तो सर्किट में एवलांच करंट प्रवाहित होता है।

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