એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને $100 \ V$ ના સ્થિતિમાન સુધી વિદ્યુતભારીત કરવામાં આવે છે. હવે $2 \ mm$ જાડાઈની ડાય-ઇલેક્ટ્રિક પ્લેટને બે પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. સમાન વિદ્યુત સ્થિતિમાન જાળવી રાખવા માટે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $1.6 \ mm$ જેટલું વધારવામાં આવે છે,તો પ્લેટનો ડાય-ઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $8 \;pF$ $(1 \;pF = 10^{-12} \;F)$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે અને તેમની વચ્ચેની જગ્યામાં $6$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટન્સ ($pF$ માં) કેટલું થશે?

એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C_p$ છે. તેને $K_1$ અને $K_2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થોના સમાંતર સ્તરોથી સમાન રીતે ભરવામાં આવે છે. હવે તેની ક્ષમતા $C_K$ થાય છે. $C_P$ અને $C_K$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટની લંબાઈ $l$,પહોળાઈ $w$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. તેને $V$ emf ધરાવતી બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. $d$ જાડાઈ અને $k = 4$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. પ્લેટોની અંદર સ્લેબની કેટલી લંબાઈ $x$ માટે કેપેસિટરમાં સંગ્રહિત ઉર્જા પ્રારંભિક સંગ્રહિત ઉર્જા કરતા બમણી થશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ $A$ છે અને તેમની વચ્ચેનું અંતર $10 \, mm$ છે. પ્લેટોની વચ્ચે બે ડાઇ-ઇલેક્ટ્રિક શીટ્સ મૂકવામાં આવી છે,જેના ડાઇ-ઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $k_1 = 10$ અને $k_2 = 5$ છે,અને તેમની જાડાઈ અનુક્રમે $t_1 = 6 \, mm$ અને $t_2 = 4 \, mm$ છે. કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ ગણો.

પ્લેટ ક્ષેત્રફળ $A$ અને પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $V$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ બેટરી દૂર કરવામાં આવે છે. હવે $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી સ્લેબને કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે એવી રીતે દાખલ કરવામાં આવે છે કે તે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને સંપૂર્ણ ભરી દે. જો $Q$,$E$ અને $W$ અનુક્રમે દરેક પ્લેટ પરનો વિદ્યુતભાર,પ્લેટો વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્ર (સ્લેબ દાખલ કર્યા પછી) અને સ્લેબ દાખલ કરવાની પ્રક્રિયામાં સિસ્ટમ પર થયેલ કાર્ય દર્શાવતા હોય,તો: