જ્યારે બેટરી સાથે જોડાયેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક ચોસલું મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે પ્લેટો પરનો નવો વિદ્યુતભાર:

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર જેનું આડછેદનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે,તેની પ્લેટો વચ્ચે હવા રહેલી છે. હવે,આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ સમાન ક્ષેત્રફળ ધરાવતી પરંતુ $t = d/2$ જાડાઈની એક અવાહક સ્લેબ,જેનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $K = 4$ છે,તેને પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે. નવા કેપેસિટન્સ અને તેના મૂળ કેપેસિટન્સનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે છે અને પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા ડાઈઈલેક્ટ્રિક માધ્યમથી ભરી દેવામાં આવે છે. જો નવું કેપેસિટન્સ $3C$ હોય,તો માધ્યમનો ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

$r$ ત્રિજ્યા ધરાવતી બે ધાતુની પ્લેટો $d$ અંતરે રાખેલી છે અને તેની કેપેસિટન્સ $C$ છે. જો $r/2$ ત્રિજ્યા અને $d$ જાડાઈ ધરાવતી $6$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંકવાળી પ્લેટને કેપેસિટરની પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે,તો તેનું નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

$12 \, pF$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને બેટરી વડે તેની પ્લેટો વચ્ચે $10 \, V$ ના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. હવે ચાર્જિંગ બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે અને $6.5$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી પોર્સેલેઇન સ્લેબને પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. કેપેસીટર દ્વારા સ્લેબ પર કરવામાં આવેલું કાર્ય .......$pJ$ છે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને પહેલા ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને પછી પ્લેટોની વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. કઈ રાશિ બદલાતી નથી?