$2.8 \ eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટરથી એક $p-n$ જંકશન બનાવવામાં આવે છે. તે કઈ આશરે તરંગલંબાઈ શોધી શકતું નથી ($nm$ માં)?
[ $h = 6 \times 10^{-34} \ J \cdot s$ અને $c = 3 \times 10^8 \ m/s$ નો ઉપયોગ કરો ]

  • A
    $100$
  • B
    $200$
  • C
    $400$
  • D
    $600$

Explore More

Similar Questions

લાઇટ એમિટિંગ ડાયોડ $(LED)$ ના કિસ્સામાં નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું નથી?

એક એવી પરિસ્થિતિનો વિચાર કરો જેમાં કોઈ ચોક્કસ $P-N$ જંકશનનો રિવર્સ બાયસ પ્રવાહ વધે છે જ્યારે તેને $\lambda \le 621 \, nm$ તરંગલંબાઇના પ્રકાશમાં રાખવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા દરમિયાન,હોલ-ઇલેક્ટ્રોન જોડીઓના નિર્માણને કારણે કેરિયર સાંદ્રતામાં વધારો થાય છે. બેન્ડ ગેપનું મૂલ્ય આશરે કેટલું હશે? ($eV$ માં)

ફોટોડાયોડના બાયસિંગ વોલ્ટેજમાં વધારો થતાં,ફોટોકરંટનું મૂલ્ય

એક $LED$ ના $V-I$ લાક્ષણિકતાઓ કયા આલેખ દ્વારા યોગ્ય રીતે દર્શાવવામાં આવી છે?

સોલર સેલ બનાવવા માટે યોગ્ય પદાર્થ કયો છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo