$2.5 eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक से एक $p-n$ जंक्शन फोटोडायोड बनाया गया है। यह किस तरंगदैर्ध्य के सिग्नल का पता लगा सकता है? (दिया गया है: प्लांक नियतांक $h = 6.6 \times 10^{-34} Js$,प्रकाश की गति $c = 3 \times 10^8 m/s$,प्राथमिक आवेश $e = 1.6 \times 10^{-19} C$)

पदार्थ $A$ का उपयोग करके सौर विकिरण के emf में कुशल रूपांतरण के लिए एक सौर सेल बनाया जाना है। सौर सेल को पदार्थ $B$ के कोटिंग की मदद से यांत्रिक रूप से सुरक्षित किया जाना है। यदि पदार्थों $A$ और $B$ की बैंड गैप ऊर्जा क्रमशः $E_{A}$ और $E_{B}$ है,तो सौर सेल के बेहतर प्रदर्शन के लिए निम्नलिखित में से कौन सा विकल्प इष्टतम है?

एक परिवार $8 \; kW$ शक्ति का उपयोग करता है।
$(a)$ सीधी सौर ऊर्जा क्षैतिज सतह पर $200 \; W$ प्रति वर्ग मीटर की औसत दर से आपतित होती है। यदि इस ऊर्जा का $20 \%$ उपयोगी विद्युत ऊर्जा में परिवर्तित किया जा सकता है, तो $8 \; kW$ की आपूर्ति के लिए कितने बड़े क्षेत्रफल की आवश्यकता होगी?
$(b)$ इस क्षेत्रफल की तुलना एक सामान्य घर की छत से करें।

$LED$ के $V-I$ अभिलक्षण किस ग्राफ द्वारा सही ढंग से दिखाए गए हैं?

प्रकाश उत्सर्जक डायोड $(LED)$ का योजनाबद्ध प्रतीक है:

$2.5 \ eV$ के बैंडगैप वाले अर्धचालक से एक फोटो-डायोड बनाया गया है। क्या यह $6000 \ \mathring{A}$ की तरंगदैर्ध्य का पता लगा सकता है?