$40 \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર-પ્લેટ કેપેસિટરને $100 V$ ના પાવર સપ્લાય સાથે જોડવામાં આવે છે. હવે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $K=2$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થને ભરવામાં આવે છે. ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થ દાખલ કરવાને કારણે,કેપેસિટરમાં વધારાનો વિદ્યુતભાર અને સ્થિત-વિદ્યુત ઉર્જામાં થતો ફેરફાર અનુક્રમે કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને બેટરી સાથે અવરોધરહિત સર્કિટમાં જોડવામાં આવે છે જ્યાં સુધી કેપેસિટર સંપૂર્ણ ચાર્જ ન થાય. ત્યારબાદ બેટરીને સર્કિટમાંથી દૂર કરવામાં આવે છે અને ઇન્સ્યુલેટેડ ગ્લવ્સનો ઉપયોગ કરીને કેપેસિટરની પ્લેટોને તેમની મૂળ અંતર કરતા અડધા અંતરે ખસેડવામાં આવે છે. ધારો કે $V_{new}$ એ પ્લેટો ખસેડ્યા પછી કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત છે અને $V_{old}$ એ જ્યારે તે બેટરી સાથે જોડાયેલું હતું ત્યારે કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત છે. ગુણોત્તર $\frac{V_{new}}{V_{old}}$ શોધો.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. $K_1$ અને $K_2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી બે સ્લેબ,જેની જાડાઈ અનુક્રમે $\frac{3}{8} d$ અને $\frac{d}{2}$ છે,તેને કેપેસિટરમાં દાખલ કરવામાં આવે છે. આના કારણે,કેપેસિટન્સ પ્લેટો વચ્ચે કંઈ ન હોય તેના કરતા બે ગણું થઈ જાય છે. જો $K_1 = 1.25 K_2$ હોય,તો $K_1$ નું મૂલ્ય શોધો.

બે સમાંતર પ્લેટો પર સમાન અને વિરુદ્ધ વીજભાર છે. જ્યારે તેમની વચ્ચેની જગ્યા ખાલી (શૂન્યાવકાશ) હોય,ત્યારે પ્લેટો વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્ર $2 \times 10^5 \ V/m$ છે. જ્યારે આ જગ્યા ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરવામાં આવે છે,ત્યારે વિદ્યુતક્ષેત્ર $1 \times 10^5 \ V/m$ થાય છે. ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક શોધો.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે છે અને પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા ડાઈઈલેક્ટ્રિક માધ્યમથી ભરી દેવામાં આવે છે. જો નવું કેપેસિટન્સ $3C$ હોય,તો માધ્યમનો ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર,જે ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K$ ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબથી આંશિક રીતે ભરેલું છે,તેને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $V \text{ volt}$ emf ધરાવતા સેલ સાથે જોડવામાં આવ્યું છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $D$ છે. તો: