હેલોએરિનમાં ઇલેક્ટ્રોનઅનુરાગી વિસ્થાપન પ્રક્રિયાઓ શા માટે ઓર્થો અને પેરા સ્થાને થાય છે,પરંતુ બેન્ઝિન કરતાં ધીમી હોય છે? સમજાવો.

(N/A) હેલોએરિનની હેલોજીનેશન,નાઈટ્રેશન,સલ્ફોનેશન અને ફ્રિડલ-ક્રાફ્ટ પ્રક્રિયાઓ હેલોજનના ઓર્થો-પૅરા સ્થાનોમાં થાય છે કારણ કે હેલોજન પરમાણુ $o,p-$સ્થાન નિર્દેશક છે. હેલોબેન્ઝિનનાં સસ્પંદન બંધારણો આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે.
આ બંધારણોમાં ઑર્થો અને પેરા સ્થાનોમાં ઋણભાર હોવાથી ઈલેક્ટ્રોન ઘનતા વધારે છે. આ કારણથી ઈલેક્ટ્રોનઅનુરાગી પ્રક્રિયક હેલોજનના ઑર્થો-પેરા સ્થાને હુમલો કરે છે. $-X$ સમૂહ તે ઑર્થો-પૅરા સ્થાન નિર્દેશક છે.
બેન્ઝિનના કરતાં હેલોએરિન ઈલેક્ટ્રોનઅનુરાગી પ્રક્રિયામાં ઓછી સક્રિય છે. હેલોજન પરમાણુ $(X)$ ની પ્રેરક અસર ઈલેક્ટ્રોન આકર્ષક $(-I)$ છે.
આ કારણથી હેલોજન પરમાણુ બેન્ઝિન વલયમાંથી ઈલેક્ટ્રોનને પોતાની તરફ આકર્ષે છે,જેના પરિણામે બેન્ઝિનની સરખામણીમાં હેલોબેન્ઝિનના વલયમાં ઈલેક્ટ્રોન ઘનતા ઓછી હોય છે. જેથી હેલોએરિન સંયોજનો બેન્ઝિનની સરખામણીમાં ઓછા સક્રિય હોય છે. આ કારણથી હેલોએરિનની ઈલેક્ટ્રોનઅનુરાગી વિસ્થાપન પ્રક્રિયાઓ બેન્ઝિનના કરતાં ધીમી હોય છે અને વધારે ઉગ્ર પરિસ્થિતિમાં કરવી આવશ્યક બને છે.