Attacking reagents Questions in Gujarati

(D) ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી કેન્દ્ર એ એવો પરમાણુ છે જે ઇલેક્ટ્રોન-ઉણપ ધરાવે છે અને ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ સ્વીકારી શકે છે. આપેલ અણુમાં,આપણે નીચેના ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી કેન્દ્રોને ઓળખીએ છીએ:
$1$. કાર્બોનિલ કાર્બન $(C=O)$ ઓક્સિજનની ઊંચી વિદ્યુતઋણતાને કારણે ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી છે,જે કાર્બન પર આંશિક ધન વીજભાર બનાવે છે.
$2$. $\alpha,\beta$-અસંતૃપ્ત કાર્બોનિલ સિસ્ટમનો $\beta$-કાર્બન સંસ્પંદનને કારણે ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી છે,જે કાર્બોનિલ કાર્બનથી $\beta$-કાર્બન સુધી ધન વીજભારનું વિસ્થાનિકરણ કરે છે.
$3$. નાઈટ્રાઈલ ગ્રુપ $(-CN)$ નો કાર્બન પરમાણુ ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી છે કારણ કે નાઈટ્રોજન પરમાણુ કાર્બન કરતા વધુ વિદ્યુતઋણ છે,જે કાર્બન પર આંશિક ધન વીજભાર બનાવે છે.
આમ,અણુમાં $3$ ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી કેન્દ્રો છે.

(B) ઇલેક્ટ્રોફાઇલ એ ઇલેક્ટ્રોન-ઉણપ ધરાવતી સ્પીસીસ છે જે રાસાયણિક બંધ બનાવવા માટે ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ સ્વીકારે છે.
$BF_{3}$ (બોરોન ટ્રાયફ્લોરાઇડ) માં બોરોન પરમાણુની આસપાસ અપૂર્ણ અષ્ટક ($6$ ઇલેક્ટ્રોન) હોય છે,જે તેને ઇલેક્ટ્રોન-ઉણપ ધરાવતો અણુ અને તેથી ઇલેક્ટ્રોફાઇલ બનાવે છે.
$RO^{-}$,$NH_{3}$,અને $ROH$ ત્રણેય પાસે ઇલેક્ટ્રોનની અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ (lone pair) હોય છે,જે તેમને ન્યુક્લિયોફાઇલ બનાવે છે.

(D) ન્યુક્લિયોફાઈલ એ એક રાસાયણિક પ્રજાતિ છે જે રાસાયણિક બંધ બનાવવા માટે ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મનું દાન કરે છે.
ઓછામાં ઓછી એક અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ (lone pair) અથવા $\pi-$બંધ ધરાવતી પ્રજાતિઓ ન્યુક્લિયોફાઈલ તરીકે વર્તી શકે છે.
વિકલ્પ $D$ માં,$CN^{-}$ પાસે કાર્બન પર અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ છે,$H_{2}O$ પાસે ઓક્સિજન પર બે અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ છે,અને $ROH$ પાસે ઓક્સિજન પર બે અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ છે.
તેથી,$CN^{-}, H_{2}O, ROH$ એ બધા ન્યુક્લિયોફાઈલ્સ છે.

(D) ઇલેક્ટ્રોફાઇલ એ ઇલેક્ટ્રોન પ્રત્યે આકર્ષણ ધરાવતી રાસાયણિક સ્પીસીઝ છે. આ કાં તો ધન વીજભારિત અથવા વિદ્યુતની દ્રષ્ટિએ તટસ્થ સ્પીસીઝ હોઈ શકે છે જેમાં અપૂર્ણ અષ્ટક અથવા ખાલી કક્ષકો હોય છે.
$H_{2}O$,$NH_{3}$,અને $C_{2}H_{5}OH$ એ ન્યુક્લિયોફાઇલ છે કારણ કે તેમની પાસે ઇલેક્ટ્રોનની અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ (lone pairs) હોય છે.
$SO_{3}$ એ ઇલેક્ટ્રોફાઇલ છે કારણ કે સલ્ફર પરમાણુ ત્રણ અત્યંત વિદ્યુતઋણ ઓક્સિજન પરમાણુઓ સાથે જોડાયેલ છે,જે તેને ઇલેક્ટ્રોન-ઉણપવાળું બનાવે છે.
$S$ પરમાણુ પરના આંશિક ધન વીજભારને કારણે,તે ઇલેક્ટ્રોફાઇલ તરીકે વર્તે છે.

(B) ન્યુક્લિયોફાઇલ (કેન્દ્રાનુરાગી) એવી સ્પીસીઝ છે જેની પાસે દાન કરવા માટે ઓછામાં ઓછી એક અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ (lone pair) હોય છે,એટલે કે તેમને લુઈસ બેઝ પણ કહી શકાય.
આપેલ વિકલ્પોમાં,$BH_{3}$ અને $AlCl_{3}$ ઇલેક્ટ્રોનની ઉણપ ધરાવતા હોવાથી ઇલેક્ટ્રોફાઇલ તરીકે વર્તે છે,જ્યારે $NH_{3}$ માં $N$ પર અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મની હાજરીને કારણે તે ન્યુક્લિયોફાઇલ છે.

(A) ન્યુક્લિયોફાઇલ્સ એ ઇલેક્ટ્રોન-સમૃદ્ધ પ્રજાતિઓ છે જે ઇલેક્ટ્રોફાઇલને ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ દાન કરી શકે છે.
$CH_3NH_2$ માં નાઇટ્રોજન પરમાણુ પર એક અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ હોય છે.
$CH_3SH$ માં સલ્ફર પરમાણુ પર એક અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ હોય છે.
$CH_3CHO$ એ ધ્રુવીય $C=O$ બંધને કારણે ઇલેક્ટ્રોફાઇલ છે.
$C_2H_4$ એ ઇલેક્ટ્રોન-સમૃદ્ધ $\pi$-બંધને કારણે ન્યુક્લિયોફાઇલ છે.
તેથી,$CH_3NH_2$,$CH_3SH$,અને $C_2H_4$ ન્યુક્લિયોફાઇલ્સ છે.
ન્યુક્લિયોફાઇલ્સની કુલ સંખ્યા $3$ છે.

(D) એમ્બિડેન્ટ ન્યુક્લિયોફાઇલ એ એવી પ્રજાતિ છે જેમાં બે અથવા વધુ ન્યુક્લિયોફિલિક સાઇટ્સ હોય છે જેના દ્વારા તે ઇલેક્ટ્રોફાઇલ પર હુમલો કરી શકે છે.
સાયનાઇડ આયન $(CN^-)$ માં,કાર્બન પરમાણુ (જેના પર ઋણ વીજભાર છે) અને નાઇટ્રોજન પરમાણુ (જેની પાસે ઇલેક્ટ્રોનની એક અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ છે) બંને ન્યુક્લિયોફિલિક સાઇટ્સ તરીકે કાર્ય કરી શકે છે.
તેથી,સાયનાઇડ આયન એ એમ્બિડેન્ટ ન્યુક્લિયોફાઇલનું ઉદાહરણ છે.

(A) ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી એ એવી પ્રજાતિ છે જે ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ સ્વીકારીને ન્યુક્લિયોફાઇલ સાથે બંધ બનાવે છે. ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી ઇલેક્ટ્રોન સ્વીકારે છે,તેથી તેઓ લુઈસ એસિડ તરીકે વર્તે છે.
$CN^{-}$ એ ન્યુક્લિયોફાઇલ છે કારણ કે તે ઇલેક્ટ્રોનથી સમૃદ્ધ છે અને તેના પર ઋણ વીજભાર છે.
$BF_3$ એ તટસ્થ ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી (લુઈસ એસિડ) છે કારણ કે તે ઇલેક્ટ્રોનની ઉણપ ધરાવે છે.
$NO_2^{+}$ એ ધન વીજભારિત ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી છે.
$AlCl_3$ એ ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી છે કારણ કે તે ઇલેક્ટ્રોનની ઉણપ ધરાવે છે.
તેથી,$CN^{-}$ એ એકમાત્ર પ્રજાતિ છે જે ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી નથી.

(A) ન્યુક્લિયોફાઇલ એ એવી સ્પીસીઝ છે જે રાસાયણિક બંધ બનાવવા માટે ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મનું દાન કરી શકે છે.
$BH_{4}^{-}$ માં,બોરોન $(B)$ પરમાણુ પર ઔપચારિક ઋણ વીજભાર છે પરંતુ તેની પાસે દાન કરવા માટે કોઈ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ (lone pair) નથી.
$CH_{3}MgBr$ માં,$C-Mg$ બંધની ધ્રુવીયતાને કારણે કાર્બન $(C)$ પરમાણુ ન્યુક્લિયોફિલિક છે.
$CH_{3}OH$ માં,ઓક્સિજન $(O)$ પરમાણુ પાસે બે અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ છે.
$CH_{3}NH_{2}$ માં,નાઇટ્રોજન $(N)$ પરમાણુ પાસે એક અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ છે.
તેથી,$BH_{4}^{-}$ માં $B$ પરમાણુ ન્યુક્લિયોફિલિક સાઇટ નથી.
આથી,સાચો વિકલ્પ $A$ છે.

(A) ઇલેક્ટ્રોફાઇલ એ ઇલેક્ટ્રોન ઉણપ ધરાવતી સ્પીસીઝ (તટસ્થ અથવા ધન આયનીય) છે.
તેઓ ઇલેક્ટ્રોન સમૃદ્ધ $C$-પરમાણુ પર હુમલો કરે છે.