ઓરડાના તાપમાને શુદ્ધ (intrinsic) અર્ધવાહકમાં હોલની સંખ્યા ઘનતા $(n_h)$ અને મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા $(n_e)$ વચ્ચેનો સંબંધ શું છે?

$n$-ટાઈપ સિલિકોનમાં,નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

જર્મેનિયમમાં ઇન્ડિયમની અશુદ્ધિ ઉમેરવાથી શું બને છે?

જર્મેનિયમ ક્રિસ્ટલ પ્લેટની સપાટીઓ પર $2.5 \,V$ નો પોટેન્શિયલ તફાવત લાગુ કરવામાં આવે છે. ક્રિસ્ટલનું ક્ષેત્રફળ $1 \,cm^2$ છે અને તેની જાડાઈ $1.0 \,mm$ છે. જર્મેનિયમમાં મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $2 \times 10^{19} \,m^{-3}$ છે અને ઇલેક્ટ્રોન તથા હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.33 \,m^2/V \cdot s$ અને $0.17 \,m^2/V \cdot s$ છે. પ્લેટમાંથી વહેતો પ્રવાહ .......... $A$ હશે.

જર્મેનિયમને $N-$ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે તેમાં ઉમેરવામાં આવતો અશુદ્ધિ પરમાણુ કયો છે?

ડોનર અશુદ્ધિ સાથે ડોપ કરેલ સેમિકન્ડક્ટર એ ........... છે.