એક ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $2.1 \text{ eV}$ છે. નીચેનામાંથી કઈ તરંગલંબાઈ તેની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરી શકશે?

સૂર્યની છબી $30 \ cm$ કેન્દ્રલંબાઈ ધરાવતા લેન્સ દ્વારા ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલની ધાતુની સપાટી પર બનાવવામાં આવે છે અને ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ $I$ ઉત્પન્ન થાય છે. છબી બનાવતા લેન્સને સમાન વ્યાસ પરંતુ $15 \ cm$ કેન્દ્રલંબાઈ ધરાવતા બીજા લેન્સ દ્વારા બદલવામાં આવે છે. આ કિસ્સામાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ કેટલો હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે એક ધાતુના કટ-ઓફ પોટેન્શિયલ $\lambda_1$,$\lambda_2$ અને $\lambda_3$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ માટે $V_1$,$V_2$ અને $V_3$ વોલ્ટ મળે છે. જો $V_1$,$V_2$ અને $V_3$ સમાંતર શ્રેણી (Arithmetic Progression) માં હોય,તો $\lambda_1$,$\lambda_2$ અને $\lambda_3$ શેમાં હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે,ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $E_k$ ને આપાત ફોટોનની આવૃત્તિ $\nu$ ની વિરુદ્ધ આલેખવામાં આવે છે,જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. આ વક્રનો ઢાળ શું આપે છે?

આ પ્રશ્નમાં વિધાન $1$ અને વિધાન $2$ આપેલ છે. વિધાનો પછી આપેલા ચાર વિકલ્પોમાંથી,જે બે વિધાનોનું શ્રેષ્ઠ વર્ણન કરે છે તે પસંદ કરો.
વિધાન $1:$ એક ધાતુની સપાટી પર $v > v_0$ (થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ) આવૃત્તિ ધરાવતો એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. જો આપાત આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોકરંટ અને મહત્તમ ગતિઊર્જા પણ બમણી થાય છે.
વિધાન $2:$ સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ પર રેખીય રીતે આધાર રાખે છે. ફોટોકરંટ માત્ર આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા પર આધાર રાખે છે.

એક ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. આ પ્રકાશ માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3V_0$ છે. જો તે જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ મળે છે. આ સપાટી માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?