$p$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) के लिए दिए गए कथनों में से कौन सा सत्य है?

नैज (intrinsic) अर्धचालक की डोपिंग क्यों की जाती है?

निम्नलिखित में से कौन सा ऊर्जा बैंड आरेख क्रमशः $N-$प्रकार के अर्धचालक और $P-$प्रकार के अर्धचालक को दर्शाता है?

$1\,cm^{2}$ क्षेत्रफल और $0.5\,mm$ मोटाई वाली $Ge$ क्रिस्टल प्लेट के विपरीत फलकों के बीच $2\,V$ का विभवांतर लगाया जाता है। यदि $Ge$ में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता $2 \times 10^{19}/m^{3}$ है और इलेक्ट्रॉनों तथा होलों की गतिशीलता क्रमशः $0.36\,m^{2}/(V\cdot s)$ और $0.14\,m^{2}/(V\cdot s)$ है,तो प्लेट से प्रवाहित होने वाली धारा कितनी होगी ($,A$ में)?

जर्मेनियम क्रिस्टल को $N$-प्रकार का अर्धचालक बनाने के लिए इसमें मिलाए जाने वाले अशुद्धि परमाणु की संयोजकता कितनी होती है?

एक $n$-प्रकार के अर्धचालक पर विचार करें जिसमें $n_e$ और $n_h$ क्रमशः इलेक्ट्रॉनों और होल्स की संख्या हैं।
$(A)$ होल्स अल्पसंख्यक वाहक हैं।
$(B)$ डोपेंट एक पंचसंयोजी (pentavalent) परमाणु है।
$(C)$ $n_e n_h \neq n_i^2$ (जहाँ $n_i$ अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों या होल्स की संख्या है जब वह अपने आंतरिक रूप में होता है)।
$(D)$ $n_e n_h \geq n_i^2$.
$(E)$ होल्स डोनर के कारण उत्पन्न नहीं होते हैं।
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