નીચેનામાંથી કોની ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી સૌથી વધુ ઋણ અને કોની સૌથી ઓછી ઋણ હશે?
$P, S, Cl, F$
તમારા જવાબની સમજૂતી આપો.

Vedclass pdf generator app on play store
Vedclass iOS app on app store
(A) આવર્તમાં ડાબેથી જમણી તરફ જતાં ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી સામાન્ય રીતે વધુ ઋણ બને છે.
સમૂહમાં ઉપરથી નીચે તરફ જતાં ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી ઓછી ઋણ બને છે.
જોકે,$2p$-કક્ષકમાં ઇલેક્ટ્રોન ઉમેરવાથી ($F$ માં) મોટા $3p$-કક્ષકમાં ઇલેક્ટ્રોન ઉમેરવા કરતાં ($Cl$ માં) વધુ આંતર-ઇલેક્ટ્રોનિક અપાકર્ષણ થાય છે.
તેથી,$Cl$ ની ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી સૌથી વધુ ઋણ છે.
આપેલા તત્વોમાં,$P$ ની ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી સૌથી ઓછી ઋણ છે,જેનું કારણ તેની સ્થાયી અર્ધ-પૂર્ણ $3p^3$ ઇલેક્ટ્રોન રચના છે.

Explore More

Similar Questions

નીચેનામાંથી કઈ પ્રક્રિયા માટે મુક્ત થતી ઉર્જા સૌથી વધુ છે?

નીચેનામાંથી કઈ સ્પીસીઝની ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી (electron affinity) સૌથી વધુ છે?

કઈ ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી પ્રક્રિયામાં સૌથી વધુ ઉર્જા મુક્ત થશે?

Difficult
View Solution

ઓક્સિજન પરમાણુમાંથી ઓક્સાઇડ આયન $O^{2-}$ ના નિર્માણ માટે ઉષ્માક્ષેપક પ્રક્રિયાની જરૂર પડે છે,ત્યારબાદ નીચે દર્શાવ્યા મુજબ ઉષ્માશોષક તબક્કો આવે છે. વાયુ અવસ્થામાં $O^{2-}$ ના નિર્માણની પ્રક્રિયા પ્રતિકૂળ $(\Delta H^{\ominus} = +ve)$ છે,ભલે તેની પાસે નજીકના નિષ્ક્રિય વાયુ નિયોન જેવી સ્થાયી ઇલેક્ટ્રોન રચના હોય. આનું કારણ શું છે?
$O_{(g)} + e^{-} \longrightarrow O^{-}_{(g)} ; \Delta H^{\ominus} = -141 \ kJ \ mol^{-1}$
$O^{-}_{(g)} + e^{-} \longrightarrow O^{2-}_{(g)} ; \Delta H^{\ominus} = +760 \ kJ \ mol^{-1}$

નીચેનામાંથી કયા વિકલ્પમાં તત્વોને તેમની ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પીના સાચા ક્રમમાં ગોઠવવામાં આવ્યા છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo