નીચેનામાંથી કયા પરિબળને લેન્થેનોઈડ સંકોચનનું મુખ્ય કારણ ગણી શકાય?

  • A
    સબશેલમાં એક $4f$ ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા બીજાનું નબળું શીલ્ડિંગ
  • B
    સબશેલમાં એક $4f$ ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા બીજાનું અસરકારક શીલ્ડિંગ
  • C
    $4f$ ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા $5d$ ઈલેક્ટ્રોનનું નબળું શીલ્ડિંગ
  • D
    $4f$ ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા $5d$ ઈલેક્ટ્રોનનું વધુ પડતું શીલ્ડિંગ

Explore More

Similar Questions

નીચેના લેન્થેનાઇડ આયનો માટે બેઝિકતાનો સાચો ક્રમ કયો છે?

નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો:
$I$. $La(OH)_3$ એ લેન્થેનાઇડ્સના હાઇડ્રોક્સાઇડ્સમાં સૌથી ઓછું બેઝિક છે.
$II$. $Zr^{4+}$ અને $Hf^{4+}$ લગભગ સમાન આયનીય ત્રિજ્યા ધરાવે છે.
$III$. $Ce^{4+}$ ઓક્સિડેશનકર્તા તરીકે કાર્ય કરી શકે છે.
ઉપરનામાંથી કયું/કયા સાચું છે?

લેન્થેનોઇડ્સ $(Ln)$ સાથેની પ્રતિક્રિયા લખો:

આઈન્સ્ટાઈનિયમની ઈલેક્ટ્રોનિક રચના છે : (આઈન્સ્ટાઈનિયમનો પરમાણુ ક્રમાંક $= 99$ આપેલ છે)

દ્વિસંયોજક યુરોપિયમ અને ત્રિસંયોજક સીરિયમની ઇલેક્ટ્રોનિક રચનાઓ શું છે?
(પરમાણુ ક્રમાંક : $Xe=54, Ce=58, Eu=63$ )

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo