डायोड और ट्रांजिस्टर के लिए प्राथमिक संवैधानिक इकाई कौन सी है?

रिवर्स बायस $pn$-जंक्शन डायोड में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई:

$P-N$ जंक्शन बनाने के लिए $Si$ पदार्थ का उपयोग किया गया है। तो डिप्लेशन बैरियर की ऊंचाई लगभग कितने $V$ होगी?

दिए गए परिपथ में एक $12 \, V$ की बैटरी,एक $4 \, \Omega$ का प्रतिरोधक और समानांतर में दो शाखाएं हैं,जिनमें से प्रत्येक में एक आदर्श डायोड और एक प्रतिरोधक है। शाखा $1$ में डायोड $D_1$ और $3 \, \Omega$ का प्रतिरोधक है,जबकि शाखा $2$ में डायोड $D_2$ और $2 \, \Omega$ का प्रतिरोधक है। परिपथ में प्रवाहित होने वाली धारा ज्ञात कीजिए। ($, A$ में)

रिवर्स बायस्ड $P-N$ जंक्शन डायोड का प्रतिरोध लगभग कितना होता है?

चित्र में,$A$ और $B$ के बीच विभवांतर......$V$ है।