જ્યારે ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) વધે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા:

નીચેનો આલેખ આપેલ ધાતુ માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(v)$ સાથે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલના ફેરફારને દર્શાવે છે. સાચો આલેખ કયો છે? [$v_0 =$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ].

ચોક્કસ ધાતુમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરી શકે તેવી વિકિરણની મહત્તમ તરંગલંબાઈ $200 \ nm$ છે. $100 \ nm$ તરંગલંબાઈના વિકિરણને કારણે ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા મેળવેલી મહત્તમ ગતિઊર્જા .............. $eV$ હશે.

$200 \ nm$ ની તરંગલંબાઈ ધરાવતો અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ લોખંડની તાજી પૉલિશ કરેલી સપાટી પર આપાત થાય છે. સપાટીનું વર્કફંકશન $4.71 \ eV$ છે. તો સ્ટૉપિંગ પોટૅન્શિયલ $eV$ માં કેટલું થશે? $(h = 6.626 \times 10^{-34} \ Js, 1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J, c = 3 \times 10^8 \ m/s)$

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતું એક વિદ્યુતચુંબકીય તરંગ અવગણ્ય વર્ક ફંક્શન ધરાવતી પ્રકાશસંવેદી સપાટી પર આપાત થાય છે. જો સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું દળ $m$ અને ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_{d}$ હોય,તો

$1.6 \times 10^{15} \ Hz$ ની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ અને $8 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રૉન્સની મહત્તમ ગતિઊર્જા .......... $eV$ છે. (આપેલ છે: $h = 6.6 \times 10^{-34} \ Js, 1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J$)