જ્યારે અણુ અથવા આયનને લુઈસ બિંદુ રચના દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે,ત્યારે પરમાણુ પરના વીજભારને ઔપચારિક વીજભાર કહેવામાં આવે છે. જો પરમાણુમાં સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન કરતા વધુ ઇલેક્ટ્રોન હોય,તો તેનો ઔપચારિક વીજભાર ઋણ હોય છે,અને જો તેમાં સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન કરતા ઓછા ઇલેક્ટ્રોન હોય,તો તેનો ઔપચારિક વીજભાર ધન હોય છે.
ઔપચારિક વીજભારની ગણતરી નીચેના સમીકરણ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે:
$F.C = (\text{સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોનની કુલ સંખ્યા}) - (\text{બંધન ન બનાવતા ઇલેક્ટ્રોનની કુલ સંખ્યા}) - \frac{1}{2}(\text{બંધન બનાવતા ઇલેક્ટ્રોનની કુલ સંખ્યા})$
નોંધ: ઔપચારિક વીજભાર એ અણુમાં વાસ્તવિક વીજભાર નથી,પરંતુ તે ઇલેક્ટ્રોનની સ્થિતિ અને ગોઠવણી વિશે માહિતી આપે છે.
ઉદાહરણ: ઓઝોન અણુ $(O_3)$ માં ઓક્સિજનનો ઔપચારિક વીજભાર.
કેન્દ્રિય $O$ પરમાણુ જે $1$ તરીકે દર્શાવેલ છે:
$F.C = (\text{તટસ્થ ઓક્સિજનના સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન}) - (O_1 \text{ ના બંધન ન બનાવતા ઇલેક્ટ્રોન}) - \frac{1}{2}(O_1 \text{ ના બંધન બનાવતા ઇલેક્ટ્રોન})$
$F.C = 6 - 2 - \frac{1}{2}(6) = +1$
છેડાનો $O$ પરમાણુ જે $2$ તરીકે દર્શાવેલ છે:
$F.C = (O \text{ ના સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન}) - (O_2 \text{ ના બંધન ન બનાવતા ઇલેક્ટ્રોન}) - \frac{1}{2}(O_2 \text{ ના બંધન બનાવતા ઇલેક્ટ્રોન}) = 6 - 4 - \frac{1}{2}(4) = 0$
છેડાનો $O$ પરમાણુ જે $3$ તરીકે દર્શાવેલ છે:
$F.C = (O \text{ ના સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન}) - (O_3 \text{ ના બંધન ન બનાવતા ઇલેક્ટ્રોન}) - \frac{1}{2}(O_3 \text{ ના બંધન બનાવતા ઇલેક્ટ્રોન}) = 6 - 6 - \frac{1}{2}(2) = -1$
આમ,$O_3$ ની રચના ઔપચારિક વીજભાર સાથે દર્શાવેલ છે.