$2.5 eV$ અને $3.5 eV$ ઉર્જા ધરાવતા બે ફોટોન $1.5 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે છે. ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

જ્યારે કોઈ ધાતુની સપાટી પર ચોક્કસ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે તેમાંથી ઉત્સર્જિત થતા ઇલેક્ટ્રોનને $3 \ V$ ના રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ દ્વારા સંપૂર્ણપણે અટકાવવામાં આવે છે. આ ધાતુની સપાટી પર ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર $6 \times 10^{14} \ s^{-1}$ ની આવૃત્તિએ શરૂ થાય છે. આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $s^{-1}$ માં કેટલી હશે? [પ્લાન્કનો અચળાંક $= 6.4 \times 10^{-34} \ J \cdot s$,ઇલેક્ટ્રોન પરનો વીજભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \ C$]

નીચેની ધાતુઓ માટે વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) આપેલા છે:
$Na: 2.75\;eV; K: 2.30\;eV; Mo: 4.17\;eV; Ni: 5.15\;eV$. ફોટોસેલથી $1\;m$ દૂર રાખેલા $He-Cd$ લેસરની $3300\,\mathring{A}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા વિકિરણ માટે આમાંથી કઈ ધાતુઓ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન દર્શાવશે નહીં? જો લેસરને નજીક લાવીને $50\;cm$ દૂર રાખવામાં આવે તો શું થાય?

શૂન્ય ફોટોઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ (સ્થિતિમાન):

$1 \,cm$ ત્રિજ્યા ધરાવતા ઝિંક બોલને $-0.5 \,V$ ના સ્થિતિમાન સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. આ બોલને $290 \,nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા મોનોક્રોમેટિક અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ દ્વારા પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. ઝિંક માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ $332 \,nm$ છે. અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશના લાંબા સમય સુધી સંપર્કમાં આવ્યા પછી બોલનું સ્થિતિમાન ............. $V$ હશે.

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $\lambda_{\text{ph}}$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ શૂન્યાવકાશ નળીમાં રહેલી કેથોડ પ્લેટ પર પડે છે. કેથોડ સપાટીનું વર્ક ફંક્શન $\phi$ છે અને એનોડ એ વાહક પદાર્થની વાયર મેશ છે જે કેથોડથી $d$ અંતરે રાખવામાં આવી છે. ઇલેક્ટ્રોડ્સ વચ્ચે $V$ જેટલો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત જાળવવામાં આવે છે. જો એનોડમાંથી પસાર થતા ઇલેક્ટ્રોનની લઘુત્તમ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_e$ હોય,તો નીચેનામાંથી કયું/કયા વિધાન સાચું/સાચા છે?