$P$-प्रकार का जर्मेनियम अर्धचालक प्राप्त करने के लिए,इसे किसके साथ डोप किया जाना चाहिए?

एक $P$-प्रकार के अर्धचालक में ग्राही स्तर (acceptor level) संयोजी बैंड (valence band) से $57 \, meV$ ऊपर है। एक होल बनाने के लिए आवश्यक प्रकाश की अधिकतम तरंगदैर्ध्य क्या होगी? (प्लांक नियतांक $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J-s$, प्रकाश की गति $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, इलेक्ट्रॉन का आवेश $e = 1.6 \times 10^{-19} \, C$)

मान लीजिए कि एक शुद्ध $Si$ क्रिस्टल में $5 \times 10^{28}$ परमाणु $m^{-3}$ हैं। इसे $1 \text{ ppm}$ सांद्रता वाले पंचसंयोजी $As$ के साथ डोप किया जाता है। इलेक्ट्रॉनों और होलों की संख्या की गणना करें। $(n_i = 1.5 \times 10^{16} \text{ m}^{-3})$

कमरे के तापमान पर,एक $p$-प्रकार के अर्धचालक में होता है

निम्नलिखित में से कौन सा कथन गलत है?

एक सिलिकॉन नमूने को डोपिंग द्वारा $p$-प्रकार के अर्धचालक में बदला जाता है। इसमें इंडियम का एक परमाणु प्रति $5 \times 10^7$ सिलिकॉन परमाणुओं पर मिलाया जाता है। यदि सिलिकॉन का संख्या घनत्व $5 \times 10^{28} \text{ atoms/m}^3$ है,तो प्रति $\text{cm}^3$ स्वीकारक (एक्सेप्टर) परमाणुओं का संख्या घनत्व ज्ञात कीजिए।