$\frac{1}{2} \text{ F}$ ના સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $I$ એમ્પીયરનો તાત્કાલિક સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) સ્થાપિત કરવા માટે,$\frac{dV}{dt}$ નું મૂલ્ય ....... છે.

જો કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે વિદ્યુત ફ્લક્સમાં થતો ફેરફારનો દર $9 \pi \times 10^3 \text{ Vm s}^{-1}$ હોય,તો કેપેસિટરની અંદર સ્થાનાંતર પ્રવાહ કેટલો હશે ($\mu \text{A}$ માં)?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની અંદર,વિદ્યુતક્ષેત્ર $E$ સમય સાથે $t^2$ મુજબ બદલાય છે. પ્રેરિત ચુંબકીય ક્ષેત્રનો સમય સાથેનો ફેરફાર નીચેનામાંથી કયો છે?

$20 \; \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને એવા વોલ્ટેજ સ્ત્રોત દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે જેનો પોટેન્શિયલ $3 \; V/s$ ના દરે બદલાય છે. કનેક્ટિંગ વાયરમાંથી વહેતો વહન પ્રવાહ (conduction current) અને કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનો સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) અનુક્રમે કેટલો હશે?

એક નળાકાર વિસ્તારમાં સમાન વિદ્યુતક્ષેત્ર છે જે નળાકારની અક્ષની દિશામાં છે અને સમય સાથે બદલાય છે. જો $r$ એ નળાકારની અક્ષથી અંતર હોય,તો વિસ્તારની અંદર ચુંબકીય ક્ષેત્રનું મૂલ્ય કેટલું હશે?

કોણીય આવૃત્તિ $\omega$ ધરાવતું એક સમતલ વિદ્યુતચુંબકીય તરંગ $\sigma$ વાહકતા અને $\varepsilon$ સાપેક્ષ પરમિટિવિટી ધરાવતા મંદ વાહક માધ્યમમાં પ્રસરણ પામે છે. માધ્યમમાં વહન પ્રવાહ ઘનતા અને સ્થાનાંતર પ્રવાહ ઘનતાનો ગુણોત્તર શોધો.