ત્રણ ફોટોડાયોડ $D_{1}, D_{2}$ અને $D_{3}$ એવા સેમિકન્ડક્ટરના બનેલા છે જેમના બેન્ડ ગેપ અનુક્રમે $2.5 eV, 2 eV$ અને $3 eV$ છે. કયો ફોટોડાયોડ $600 nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા પ્રકાશને શોધી શકશે?

વિધાન: $P-N$ જંકશન ડાયોડનો ઉપયોગ પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે રિવર્સ બાયસમાં કરવામાં આવે છે.
કારણ: રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં,પ્રવાહ ઓછો હોય છે પરંતુ તે આપાત પ્રકાશની તીવ્રતામાં થતા ફેરફારો પ્રત્યે વધુ સંવેદનશીલ હોય છે.

આકૃતિમાં $2$ $LED$ દર્શાવેલ છે જેનો ઉપયોગ પોલેરિટી ડિટેક્ટર તરીકે થઈ શકે છે. ધન સોર્સ વોલ્ટેજ લાગુ પાડતા લીલો પ્રકાશ મળે છે,જ્યારે ઋણ સપ્લાયથી લાલ પ્રકાશ મળે છે. આવા સંયોજનોના પેકેજો વ્યાપારી રીતે ઉપલબ્ધ છે. આ ગોઠવણી માટે $ON$ ડાયોડમાંથી $20 \ mA$ નો પ્રવાહ પસાર થાય તે સુનિશ્ચિત કરવા માટે અવરોધ $R$ શોધો. બંને ડાયોડનો રિવર્સ બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ $3 \ V$ અને સરેરાશ ટર્ન-ઓન વોલ્ટેજ $2 \ V$ છે. સોર્સ વોલ્ટેજ $8 \ V$ છે. $R$ નું મૂલ્ય $\Omega$ માં શોધો.

ફોરવર્ડ બાયસમાં પ્રવાહ $(\sim mA)$ એ રિવર્સ બાયસ $(\sim \mu A)$ ના પ્રવાહ કરતા વધારે હોય છે. તો પછી ફોટોડાયોડને રિવર્સ બાયસમાં ચલાવવાનું કારણ શું છે?

એક ફોટો-ડાયોડના પદાર્થનો બૅન્ડગૅપ $2.0 \ eV$ છે. આ પદાર્થ ઓછામાં ઓછી કઈ આવૃત્તિવાળું વિકિરણનું શોષણ કરી શકે?

$LED$ એ એક $p-n$ જંકશન ડાયોડ છે જે