એક ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $h \nu_0$ છે. $\nu$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આ ધાતુ પર આપાત થાય છે. ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર ત્યારે જ થશે જો

$1.24 eV$ કાર્ય વિધેય ધરાવતી લક્ષ્ય સામગ્રી પર $4.36 \times 10^{-7} m$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન અટકાવવા માટે જરૂરી રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($eV$ માં)?

જ્યારે $\lambda_1$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા ફોટોન એક અલગ કરેલા ગોળા પર આપાત થાય છે,ત્યારે અનુરૂપ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ મળે છે. જ્યારે $\lambda_2$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા ફોટોનનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અગાઉના મૂલ્ય કરતાં ત્રણ ગણું મળે છે. જો $\lambda_3$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશનો ઉપયોગ કરવામાં આવે,તો આ કિસ્સા માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ શોધો.

એક ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. આ પ્રકાશ માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3V_0$ છે. જો તે જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ મળે છે. આ સપાટી માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

ધાતુઓનું કાર્ય વિધેય $Na = 1.92 \, eV, K = 2.15 \, eV, Mo = 4.17 \, eV, Ni = 5.0 \, eV$ આપેલ છે. આ ધાતુઓ પૈકી કઈ ધાતુ $He-Cd$ લેસરમાંથી $3300 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઈના ઉત્સર્જન માટે ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન દર્શાવશે નહીં?

એક $EM$ વિકિરણનો વિદ્યુતક્ષેત્ર ઘટક સમય સાથે $E = a(\cos \omega_{0} t + \sin \omega t \cos \omega_{0} t)$ મુજબ બદલાય છે,જ્યાં '$a$' અચળાંક છે,$\omega = 10^{15} \text{ s}^{-1}$,અને $\omega_{0} = 5 \times 10^{15} \text{ s}^{-1}$ છે. આ વિકિરણ એક ધાતુ પર પડે છે જેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $2 \text{ V}$ છે. તો નીચેનામાંથી કયું/કયા વિધાન સાચું/સાચા છે? $(h = 6.62 \times 10^{-34} \text{ J s})$