जर्मेनियम क्रिस्टल को $P-$प्रकार के अर्धचालक में बदलने के लिए मिलाई गई अशुद्धि की संयोजकता क्या है?

$300 \ K$ तापमान पर शुद्ध $Si$ में इलेक्ट्रॉनों $(n_e)$ और होल्स $(n_h)$ की सांद्रता समान है और यह $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ है। यदि इंडियम के साथ डोपिंग के बाद होल्स की सांद्रता $(n_h)$ बढ़कर $3 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाती है,तो डोप्ड $Si$ में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता $(n_e)$ की गणना करें।

मान लीजिए कि एक शुद्ध $Si$ क्रिस्टल में $5 \times 10^{28}$ परमाणु $m^{-3}$ हैं। इसे $1$ ppm सांद्रता वाले पेंटावैलेंट $As$ द्वारा डोप किया जाता है। होल्स की संख्या की गणना करें। दिया गया है कि $n_i = 1.5 \times 10^{16} m^{-3}$।

नैज (Intrinsic) और बाह्य (Extrinsic) अर्धचालक के बीच अंतर लिखिए।

निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है? एक $p$-प्रकार के अर्धचालक को किसके साथ डोप किया जाता है?

$P-$ प्रकार के अर्धचालक को निम्नलिखित में से क्या मिलाकर प्राप्त किया जा सकता है?