ટંગસ્ટનની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $2300 \, \mathring{A}$ છે. જો તેના પર $1800 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઇનો પારજાંબલી પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,તો ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા આશરે ............ $eV$ હશે.

$hv$ ઉર્જા ધરાવતો એક ફોટોન એવી ધાતુના મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન દ્વારા શોષાય છે જેનું વર્ક ફંક્શન $\phi < hv$ છે.

$300 \ nm$ તરંગલંબાઈ અને $100 \ W \ m^{-2}$ તીવ્રતા ધરાવતું વિકિરણ એક ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર પડે છે. જો આપાત ફોટોનમાંથી $2 \%$ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરતા હોય,તો સપાટીના $2 \ cm^2$ ક્ષેત્રફળમાંથી પ્રતિ સેકન્ડ ઉત્સર્જિત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા આશરે કેટલી હશે?

ધાતુઓ $A, B$ અને $C$ માટે વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) અનુક્રમે $1.92 eV, 2.0 eV$ અને $5 eV$ છે. આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ મુજબ,$4100 \mathring{A}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણ માટે કઈ ધાતુઓ ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $\frac{\lambda}{2}$ તરંગલંબાઈના મોનોક્રોમેટિક પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો પ્રથમ કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બીજા કિસ્સાની તુલનામાં એક-તૃતીયાંશ હોય,તો પદાર્થની સપાટીનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે? ($c=$ પ્રકાશની ઝડપ,$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક)

સિલ્વર અને સોડિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) અનુક્રમે $4.6 \ eV$ અને $2.3 \ eV$ છે. સિલ્વર અને સોડિયમ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વિરુદ્ધ આવૃત્તિના આલેખના ઢાળનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?