વિદ્યુતચુંબકીય તરંગનો સ્ત્રોત કયો વિદ્યુતભાર હોઈ શકે?

$20 \; \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને એવા વોલ્ટેજ સ્ત્રોત દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે જેનો પોટેન્શિયલ $3 \; V/s$ ના દરે બદલાય છે. કનેક્ટિંગ વાયરમાંથી વહેતો વહન પ્રવાહ (conduction current) અને કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનો સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) અનુક્રમે કેટલો હશે?

$A = 16 \ cm^2$ ક્ષેત્રફળ અને $10 \ cm$ પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $DC$ પ્રવાહ દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે. કેપેસિટરની અંદર અને પ્લેટોને સમાંતર $A_0 = 3.2 \ cm^2$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી એક કાલ્પનિક સમતલ સપાટી ધ્યાનમાં લો. એક ક્ષણે,સર્કિટમાંથી વહેતો પ્રવાહ $6 \ A$ છે. તે જ ક્ષણે $A_0$ માંથી વહેતો સ્થાનાંતર પ્રવાહ . . . . . . $mA$ છે.

પ્રકાશની ઝડપ $c$,શૂન્યાવકાશની પરમીએબિલિટી ${\mu _0}$ અને શૂન્યાવકાશની પરમિટિવિટી ${\epsilon _0}$ ને સાંકળતું સમીકરણ આપો.

સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર પરનો વિદ્યુતભાર $q = q_0 \cos(2\pi \nu t)$ મુજબ બદલાય છે. પ્લેટો ખૂબ મોટી અને એકબીજાની નજીક છે (ક્ષેત્રફળ $= A,$ અંતર $= d$). કેપેસિટરમાંથી વહેતો સ્થાનાંતર પ્રવાહ કેટલો હશે?