$p-n$ जंक्शन डायोड में विभव प्राचीर (potential barrier) किसके कारण होता है?

जब $p-n$ जंक्शन को फॉरवर्ड बायस (अग्र अभिनति) में रखा जाता है,तो विभव प्राचीर $(V_B)$ और अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई $(X)$ पर क्या प्रभाव पड़ता है?

नीचे दिए गए परिपथ में,धारा का मान क्या है?

$p-n$ जंक्शन का बैरियर विभव (barrier potential) निम्नलिखित में से किस पर निर्भर करता है:
$(1)$ अर्धचालक पदार्थ का प्रकार
$(2)$ डोपिंग की मात्रा
$(3)$ तापमान
निम्नलिखित में से कौन सा सही है?

$D_1$ और $D_2$ दो आदर्श डायोड हैं। $i_1$ और $i_2$ के मान ज्ञात कीजिए।

जब एक सिलिकॉन $PN$ जंक्शन श्रेणी प्रतिरोध के साथ फॉरवर्ड बायस स्थिति में होता है,तो इसका नी वोल्टेज (knee voltage) $0.6\, V$ होता है। जब $PN$ जंक्शन को $2.6\, V$ की बैटरी से जोड़ा जाता है,तो इसमें प्रवाहित होने वाली धारा $5\, mA$ होती है। श्रेणी प्रतिरोध का मान.....$\Omega$ है।