ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો કયો ભાગ મોટા પ્રમાણમાં મેજોરિટી કેરિયર્સ ઉત્પન્ન કરવા માટે ભારે ડોપિંગ ધરાવે છે?

ટ્રાન્ઝિસ્ટરના એમ્પ્લીફાયર તરીકેના અભ્યાસમાં,જો $\alpha = \frac{I_{C}}{I_{E}}$ અને $\beta = \frac{I_{C}}{I_{B}}$ હોય,જ્યાં $I_{C}$,$I_{B}$ અને $I_{E}$ અનુક્રમે કલેક્ટર,બેઝ અને એમિટર પ્રવાહો છે,તો:

$PNP$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,બેઝ એ $N$-વિસ્તાર છે. $P$-વિસ્તારની સાપેક્ષમાં તેની પહોળાઈ કેટલી હોય છે?

આપેલ ટ્રાન્ઝિસ્ટર સેચ્યુરેશન (સંતૃપ્ત) વિસ્તારમાં કાર્ય કરે છે, તો $V_{BB}$ નું મૂલ્ય ($Volt$ માં) કેટલું હોવું જોઈએ?
$(R_{out} = 200 \, \Omega, R_{in} = 100 \, k\Omega, V_{CC} = 3 \, V, V_{BE} = 0.7 \, V, \beta = 200)$

$n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરને બે ડાયોડ એકબીજા સાથે જોડાયેલા હોય તેવું સમતુલ્ય ગણી શકાય. નીચેનામાંથી કઈ આકૃતિ આ સમતુલ્ય સર્કિટને યોગ્ય રીતે દર્શાવે છે?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$: $n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર $p-n-p$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર કરતા વધુ પ્રવાહને મંજૂરી આપે છે.
કારણ $R$: ઇલેક્ટ્રોન પાસે ચાર્જ કેરિયર તરીકે વધુ ગતિશીલતા (mobility) હોય છે.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો: