નીચેનામાંથી રેખીય ભૂમિતિ ધરાવતા અણુઓ/આયનોની સ | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(C) રેખીય ભૂમિતિ નક્કી કરવા માટે,આપણે મધ્યસ્થ પરમાણુ પરના સંકરણ અને અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મોનું વિશ્લેષણ કરીએ છીએ:$1$. $BeCl_2$: $sp$ સંકરણ,$0$ અબંધ

Vedclass · Accepted Answer

$6$

Vedclass · Answer

(C) રેખીય ભૂમિતિ નક્કી કરવા માટે,આપણે મધ્યસ્થ પરમાણુ પરના સંકરણ અને અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મોનું વિશ્લેષણ કરીએ છીએ:$1$. $BeCl_2$: $sp$ સંકરણ,$0$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ,રેખીય.$2$. $CO_2$: $sp$ સંકરણ,$0$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ,રેખીય.$3$. $N_3^{-}$: $sp$ સંકરણ,$0$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ,રેખીય.$4$. $XeF_2$: $sp^3d$ સંકરણ,$Xe$ પર $3$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ,રેખીય.$5$. $NO_2^{+}$: $sp$ સંકરણ,$0$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ,રેખીય.$6$. $I_3^{-}$: $sp^3d$ સંકરણ,મધ્યસ્થ $I$ પર $3$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ,રેખીય.અન્ય અણુઓ:- $SO_2$: બેન્ટ (કોણીય) ($sp^2$,$1$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ).- $NO_2$: બેન્ટ (કોણીય) ($sp^2$,$1$ અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોન).- $F_2O$: બેન્ટ (કોણીય) ($sp^3$,$2$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ).- $O_3$: બેન્ટ (કોણીય) ($sp^2$,$1$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ).કુલ રેખીય અણુઓની સંખ્યા $6$ છે.

List-$I$	List-$II$
$A$. $XeF_4$	$1$. પિરામિડલ
$B$. $XeF_6$	$2$. $T$-આકાર
$C$. $XeO_3$	$3$. વિકૃત અષ્ટફલકીય
$D$. $XeOF_2$	$4$. સમતલીય ચોરસ

નીચેનામાંથી રેખીય ભૂમિતિ ધરાવતા અણુઓ/આયનોની સંખ્યા $.........$ છે.
$SO_2, BeCl_2, CO_2, N_3^{-}, NO_2, F_2O, XeF_2, NO_2^{+}, I_3^{-}, O_3$

Similar Questions

વિધાન: $HFO$ માં $HOF$ બંધકોણ એ $HClO$ માં $HOCl$ બંધકોણ કરતા વધારે છે.
કારણ: ઓક્સિજન હેલોજન કરતા વધુ વિદ્યુતઋણ છે.

નીચેનામાંથી કઈ સ્પીસીઝ અરેખીય (non-linear) છે?

$XeF_5^-$ નું બંધારણ શું છે?

સાચું જોડકું પસંદ કરો:

List-$I$ List-$II$

$A$. $XeF_4$ $1$. પિરામિડલ

$B$. $XeF_6$ $2$. $T$-આકાર

$C$. $XeO_3$ $3$. વિકૃત અષ્ટફલકીય

$D$. $XeOF_2$ $4$. સમતલીય ચોરસ

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module

નીચેનામાંથી રેખીય ભૂમિતિ ધરાવતા અણુઓ/આયનોની સંખ્યા $.........$ છે.$SO_2, BeCl_2, CO_2, N_3^{-}, NO_2, F_2O, XeF_2, NO_2^{+}, I_3^{-}, O_3$