ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા શેના પર આધાર રાખતી નથી?

એક ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $6.825 \ eV$ છે. તો તેની થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ આશરે કેટલી હશે? $(c = 3 \times 10^8 \ m/s)$

એક ચોક્કસ ધાતુ માટે,જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઇલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3V_0$ છે. જ્યારે તે જ ધાતુ પર $2\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ થાય છે. આપેલ ધાતુ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $\alpha\lambda$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે.

જ્યારે ${\lambda _1}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો ફોટોન ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત સૌથી ઝડપી ઈલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v_1 \ m/s$ છે. જો ${\lambda _2}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો ફોટોન તે જ ધાતુ પર આપાત થાય,તો ઉત્સર્જિત સૌથી ઝડપી ઈલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v_2 \ m/s$ છે. $v_2^2 - v_1^2$ નું મૂલ્ય કેટલું થશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $\lambda/2$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો બીજા કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રથમ કિસ્સા કરતા ત્રણ ગણી હોય,તો સપાટીનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે?

ધાતુઓનું કાર્ય વિધેય (work function) $2 eV$ થી $5 eV$ ની રેન્જમાં છે. નીચેનામાંથી પ્રકાશની કઈ તરંગલંબાઈ ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે વાપરી શકાતી નથી ($nm$ માં)? (પ્લાન્કનો અચળાંક $= 4 \times 10^{-15} eVs$,પ્રકાશનો વેગ $= 3 \times 10^{8} m/s$ લો)