इन्फ्रारेड $LED$ के निर्माण में प्रयुक्त सामग्री है

$LED$ में दृश्य प्रकाश किसके द्वारा उत्पन्न होता है?

पदार्थ $A$ का उपयोग करके सौर विकिरण के emf में कुशल रूपांतरण के लिए एक सौर सेल बनाया जाना है। सौर सेल को पदार्थ $B$ के कोटिंग की मदद से यांत्रिक रूप से सुरक्षित किया जाना है। यदि पदार्थों $A$ और $B$ की बैंड गैप ऊर्जा क्रमशः $E_{A}$ और $E_{B}$ है,तो सौर सेल के बेहतर प्रदर्शन के लिए निम्नलिखित में से कौन सा विकल्प इष्टतम है?

सौर सेल की संरचना, कार्यप्रणाली और उपयोग का वर्णन कीजिए।

$2.8 \ eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक से एक $p-n$ जंक्शन बनाया गया है। यह किस अनुमानित तरंगदैर्ध्य का पता नहीं लगा सकता है ($nm$ में)?
[ $h = 6 \times 10^{-34} \ J \cdot s$ और $c = 3 \times 10^8 \ m/s$ का उपयोग करें ]

निम्नलिखित कथनों पर विचार करें $:$
$A.$ सौर सेल का जंक्शन क्षेत्रफल फोटोडायोड की तुलना में बहुत बड़ा बनाया जाता है।
$B.$ सौर सेल किसी भी बाहरी बायस से नहीं जुड़े होते हैं।
$C.$ $\text{LED}$ भारी डोपित (heavily doped) $p-n$ जंक्शन से बनी होती है।
$D.$ फॉरवर्ड करंट में वृद्धि के परिणामस्वरूप $\text{LED}$ प्रकाश की तीव्रता में निरंतर वृद्धि होती है।
$E.$ प्रकाश के उत्सर्जन के लिए $\text{LED}$ को फॉरवर्ड बायस में जोड़ा जाना चाहिए।
निम्नलिखित में से कौन से कथन सही हैं?