$O(SiH_3)_2$ અને $OCl_2$ અણુઓ વિશે નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

  • A
    $OCl_2$ અણુ કરતા $O(SiH_3)_2$ અણુમાં બેક બોન્ડિંગની પ્રબળતા વધારે છે.
  • B
    $O(SiH_3)_2$ માં $Si-O-Si$ બંધકોણ $OCl_2$ માં $Cl-O-Cl$ બંધકોણ કરતા વધારે છે.
  • C
    બંને અણુઓમાં બેક બોન્ડનો પ્રકાર $2p_{\pi}-3d_{\pi}$ છે.
  • D
    બંને અણુઓમાં મધ્યસ્થ $O$-પરમાણુનું સંકરણ સમાન છે.

Explore More

Similar Questions

નીચેની ઇલેક્ટ્રોન ડોટ રચનામાં,ડાબેથી જમણે નાઇટ્રોજન પરમાણુઓ પરના ફોર્મલ ચાર્જની સાચી ગણતરી $\overset{\centerdot \centerdot}{\mathop{N}}\text{=}\mathop{N}\text{=}\overset{\centerdot \centerdot}{\mathop{N}}$ છે.

નીચેનામાંથી કયું આકર્ષણ સૌથી પ્રબળ છે?

નીચેનામાંથી કયા રૂપાંતરણમાં સંકરણ અને આકાર બંનેમાં ફેરફાર થાય છે?

ખોટું વિધાન પસંદ કરો.

Difficult
View Solution

નીચેનામાંથી ખોટા વિધાનો ઓળખો:
$(i) \ SF_6$ પાણી સાથે પ્રક્રિયા કરતું નથી
$(ii) \ SF_6$ એ $sp^3d$ સંકરણ ધરાવે છે
$(iii) \ S_2O_3^{2-}$ એ રેખીય આયન છે
$(iv) \ SO_4^{2-}$ આયનમાં કોઈ $\pi$-બંધન નથી

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo