આપેલ લાક્ષણિક વક્ર કયા ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણ સાથે સંબંધિત છે?

સમજાવો કે શા માટે તત્વીય અર્ધવાહકોનો ઉપયોગ દ્રશ્યમાન $LED$ બનાવવા માટે થઈ શકતો નથી.

ઓપ્ટોઈલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણો એટલે શું? આવા મુખ્ય ઉપકરણોના નામ આપો.

$2.8 \; eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક) માંથી $p-n$ ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. શું તે $6000 \; nm$ ની તરંગલંબાઇ શોધી શકે છે?

વિધાન: $P-N$ જંકશન ડાયોડનો ઉપયોગ પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે રિવર્સ બાયસમાં કરવામાં આવે છે.
કારણ: રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં,પ્રવાહ ઓછો હોય છે પરંતુ તે આપાત પ્રકાશની તીવ્રતામાં થતા ફેરફારો પ્રત્યે વધુ સંવેદનશીલ હોય છે.

એક ફોટોડિટેક્ટર $In_{0.53}Ga_{0.47}As$ સેમિકન્ડક્ટરથી બનેલું છે જેનો $E_g = 0.73 \, eV$ છે. તે મહત્તમ કેટલી તરંગલંબાઇ શોધી શકે છે ($nm$ માં)?