ऑक्साइड आयन $O_{(g)}^{2-}$ के निर्माण के लिए पहले एक ऊष्माक्षेपी और फिर एक ऊष्माशोषी चरण की आवश्यकता होती है,जैसा कि नीचे दिखाया गया है। इसका कारण क्या है?
$O_{(g)} + e^{-} \rightarrow O_{(g)}^{-}; \Delta H^{o} = -142 \ kJ \ mol^{-1}$
$O_{(g)}^{-} + e^{-} \rightarrow O_{(g)}^{2-}; \Delta H^{o} = 844 \ kJ \ mol^{-1}$

• A
  $O^{-}$ आयन दूसरे इलेक्ट्रॉन के जुड़ने का विरोध करेगा
• B
  ऑक्सीजन की इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी उच्च है
• C
  ऑक्सीजन अधिक विद्युत ऋणात्मक है
• D
  $O^{-}$ आयन का आकार ऑक्सीजन परमाणु की तुलना में बड़ा है