Be અને B ની પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પી left( eV | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(D) $Be$ $(Z=4)$ ની ઇલેક્ટ્રોન રચના $1s^2 2s^2$ છે.$B$ $(Z=5)$ ની ઇલેક્ટ્રોન રચના $1s^2 2s^2 2p^1$ છે.$Be$ માં સંપૂર્ણ ભરાયેલી $2s$ કક્ષક છે,જે $B$ ની

Vedclass · Accepted Answer

$9.32 \ eV, 8.29 \ eV$

Vedclass · Answer

(D) $Be$ $(Z=4)$ ની ઇલેક્ટ્રોન રચના $1s^2 2s^2$ છે.$B$ $(Z=5)$ ની ઇલેક્ટ્રોન રચના $1s^2 2s^2 2p^1$ છે.$Be$ માં સંપૂર્ણ ભરાયેલી $2s$ કક્ષક છે,જે $B$ ની $2p$ કક્ષક કરતા વધુ સ્થાયી છે.તેથી,$B$ ની સરખામણીમાં $Be$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવા માટે વધુ ઉર્જાની જરૂર પડે છે.$Be$ ની પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પી આશરે $9.32 \ eV$ છે અને $B$ ની $8.29 \ eV$ છે.આમ,સાચો વિકલ્પ $D$ છે.

$Be$ અને $B$ ની પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પી $\left( eV \right)$ અનુક્રમે કેટલી છે?

Similar Questions

નીચેનામાંથી કોની આયનીકરણ એન્થાલ્પી (ionization potential) સૌથી ઓછી છે?

નીચેનામાંથી કઈ પ્રક્રિયા બિન-સ્વયંભૂ (non-spontaneous) છે?

દરેક આવર્તમાં,આલ્કલી ધાતુઓ...

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module