निम्नलिखित में से किसके मामले में ऊर्जा अंतराल (energy gap) $ 3 eV $ से कम है?

एक अर्धचालक में,

परम शून्य तापमान पर,$Si$ ........... के रूप में कार्य करता है।

निम्नलिखित कथनों को ध्यानपूर्वक पढ़ें:
$Y:$ तापमान में वृद्धि के साथ अर्धचालक की प्रतिरोधकता कम हो जाती है।
$Z:$ एक चालक ठोस में,तापमान में वृद्धि के साथ मुक्त इलेक्ट्रॉनों और आयनों के बीच टक्कर की दर बढ़ जाती है।
निम्नलिखित में से सही कथन का चयन करें:

इस प्रश्न में कथन $1$ और कथन $2$ दिए गए हैं। कथनों के बाद दिए गए चार विकल्पों में से,वह चुनें जो दोनों कथनों का सबसे अच्छा वर्णन करता है।
कथन $1$ : एक शुद्ध अर्धचालक का प्रतिरोध का ताप गुणांक ऋणात्मक होता है।
कथन $2$ : तापमान बढ़ाने पर,अधिक आवेश वाहक चालन बैंड (conduction band) में मुक्त हो जाते हैं।

$0.7 \ eV$ के बैंड गैप वाले पदार्थ में इलेक्ट्रॉन-होल जोड़ी बनाने के लिए आवश्यक विद्युत चुम्बकीय विकिरण की अधिकतम तरंगदैर्ध्य क्या होगी? (प्लांक नियतांक $h = 4.136 \times 10^{-15} \ eV \cdot s$,प्रकाश का वेग $c = 3 \times 10^8 \ m/s$).