પ્રકાશ તરંગ સાથે સંકળાયેલ બિંદુ પર વિદ્યુતક્ષેત્ર $E = 200 [\sin(6 \times 10^{15} t) + \sin(9 \times 10^{15} t)] \, Vm^{-1}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે. આપેલ છે: $h = 4.14 \times 10^{-15} \, eVs$. જો આ પ્રકાશ $2.50 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ........... $eV$ હશે.

$2.4 \text{ eV}$ ઉર્જા અને $\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા ફોટોન એક ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે અને $v$ મહત્તમ વેગ સાથે ફોટોઇલેક્ટ્રોન મુક્ત કરે છે। $\lambda$ માં $50 \%$ ઘટાડો કરવાથી, ફોટોઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $3 v$ થાય છે। ધાતુની પ્લેટના દ્રવ્યનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે ($\text{ eV}$ માં)?

$\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત થતા ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? (જ્યાં $h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$m =$ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ અને $c =$ પ્રકાશની ઝડપ)

બે સમાન ફોટોકેથોડ $v_1$ અને $v_2$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ મેળવે છે. જો બહાર આવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન (દળ $m$) ના વેગ અનુક્રમે $v_1$ અને $v_2$ હોય,તો:

સિલ્વરની ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $3250 \times 10^{-10} \, m$ છે. $2536 \times 10^{-10} \, m$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ દ્વારા સિલ્વરની સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનનો વેગ કેટલો હશે? (આપેલ છે: $h = 4.14 \times 10^{-15} \, eV \cdot s$ અને $c = 3 \times 10^8 \, m/s$)

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે:
વિધાન-$I$: આકૃતિ બે પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થો $M_1$ અને $M_2$ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ નો આવૃત્તિ $(v)$ સાથેનો ફેરફાર દર્શાવે છે. ઢાળ $\frac{h}{e}$ નું મૂલ્ય આપે છે,જ્યાં $h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $e$ એ ઇલેક્ટ્રોનનો વિદ્યુતભાર છે.
વિધાન-$II$: સમાન આવૃત્તિ ધરાવતા આપાત વિકિરણ માટે $M_2$ વધુ ગતિ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરશે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો.