चित्र में दिखाए गए परिपथ में दो डायोड हैं,जिनमें से प्रत्येक का फॉरवर्ड प्रतिरोध $30 \, \Omega$ और बैकवर्ड प्रतिरोध अनंत है। यदि बैटरी $3 \, V$ की है,तो $50 \, \Omega$ के प्रतिरोध से होकर बहने वाली धारा (एम्पीयर में) है

  • A
    शून्य
  • B
    $0.01$
  • C
    $0.02$
  • D
    $0.03$

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जब एक $p-n$ जंक्शन डायोड पर रिवर्स बायस लगाया जाता है,तो विभव प्राचीर (potential barrier) पर क्या प्रभाव पड़ता है?

नीचे दिखाए गए परिपथ में धारा $I$ का मान क्या है? (सभी डायोड आदर्श और समान हैं)

परिपथ में दर्शाया गया डायोड एक सिलिकॉन डायोड है। बिंदुओं $A$ और $B$ के बीच विभवांतर .....$V$ होगा।

मान लीजिए कि एक $P-N$ जंक्शन में अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $10^{-6} \ m$ है और अवक्षय अवरोध (depletion barrier) का मान $0.1 \ V$ है,तो विद्युत क्षेत्र ....... $V \ m^{-1}$ है।

मान लीजिए कि फॉरवर्ड बायस स्थिति में एक सिलिकॉन डायोड पर $0.7 \text{ V}$ का वोल्टेज ड्रॉप होता है,तो परिपथ में डायोड $D_1$ से होकर बहने वाली धारा . . . . . . $\text{mA}$ है। (मान लें कि दिए गए परिपथ में सभी डायोड समान हैं)

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