વિધાન $I$ : $SO_2$ અને $H_2O$ બંને $V$-આકારનું બંધારણ ધરાવે છે.
વિધાન $II$ : $SO_2$ નો બંધકોણ $H_2O$ કરતા ઓછો છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો:

  • A
    વિધાન $I$ અને વિધાન $II$ ખોટા છે
  • B
    વિધાન $I$ અને વિધાન $II$ સાચા છે
  • C
    વિધાન $I$ સાચું છે પરંતુ વિધાન $II$ ખોટું છે
  • D
    વિધાન $I$ ખોટું છે પરંતુ વિધાન $II$ સાચું છે

Explore More

Similar Questions

$HNO_{3}$,$H_{2}SO_{4}$,$NF_{3}$ અને $O_{3}$ માંથી ઇલેક્ટ્રોનની સૌથી વધુ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ (લુઈસ ડોટ સ્ટ્રક્ચરનો ઉપયોગ કરીને મેળવેલ) ધરાવતો અણુ $(X)$ ઓળખો. અણુ $(X)$ ના મધ્યસ્થ પરમાણુ દ્વારા બનાવવામાં આવેલ સાચો બંધકોણ પસંદ કરો. ($^{\circ}$ માં)

નીચેનામાંથી કયા સંયોજનનું બંધારણ રેખીય નથી?

આણ્વિય આકાર માટે કોલમ જોડો?
કોલમ $I$ કોલમ $II$
$(a) \ XeO_6^{4-}$ $(P)$ સમચતુષ્ફલકીય
$(b) \ ClO_2$ $(Q) \ V {-\text{આકાર}}$
$(c) \ NH_4^+$ $(R)$ ત્રિકોણીય દ્વિપિરામિડલ
$(d) \ XeO_3F_2$ $(S)$ અષ્ટફલકીય

વિધાન : અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ-અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ વચ્ચેનું અપાકર્ષણ,અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ-બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ અને બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ-બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ વચ્ચેના અપાકર્ષણ કરતા વધારે હોય છે.
કારણ : બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મની સરખામણીમાં અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ દ્વારા રોકાયેલી જગ્યા વધારે હોય છે.

$SF_6$ અણુનો ભૌમિતિક આકાર કયો છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo