गलत कथन को पहचानें: आवर्त सारणी में एक आवर्त में बाएं से दाएं क्षैतिज रूप से जाने पर

निम्नलिखित में से कौन से कथन सत्य हैं?
$A.$ $Ga$ के विपरीत जिसका गलनांक बहुत अधिक होता है,$Cs$ का गलनांक बहुत कम होता है।
$B.$ पॉलिंग स्केल पर,$N$ और $Cl$ के विद्युत ऋणात्मकता मान समान नहीं हैं।
$C.$ $Ar$,$K^{+}$,$Cl^{-}$,$Ca^{2+}$,और $S^{2-}$ सभी आइसोइलेक्ट्रॉनिक प्रजातियाँ हैं।
$D.$ $Na$,$Mg$,$Al$,और $Si$ की प्रथम आयनन एन्थैल्पी का सही क्रम $Si > Al > Mg > Na$ है।
$E.$ $Cs$ की परमाणु त्रिज्या $Li$ और $Rb$ से अधिक है।
नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर चुनें

बताइए कि निम्नलिखित कथन सत्य हैं या असत्य:
$(i)$ आयनन एन्थैल्पी जितनी अधिक होगी,स्क्रीनिंग प्रभाव उतना ही कम होगा।
$(ii)$ $Be$ की आयनन एन्थैल्पी $B$ से अधिक है।
$(iii)$ आवर्त में बाएं से दाएं जाने पर परिरक्षण प्रभाव (shielding effect) बढ़ता है।
$(iv)$ प्रथम आयनन ऊर्जा का बढ़ता क्रम $B < Be < O < N$ है।

स्तंभ-$I$ का स्तंभ-$II$ से मिलान करें

$A. S \rightarrow S^{-}$	$P. {\text{ऊष्माशोषी प्रक्रिया}}$
$B. N^{-} \rightarrow N$	$Q. {\text{ऊष्माक्षेपी प्रक्रिया}}$
$C. O^{-} \rightarrow O^{2-}$	$R. {\text{उत्पाद में अक्रिय गैस विन्यास}}$
$D. P \rightarrow P^{-}$	$S. {\text{उत्पाद में अर्ध}-\text{पूरित विन्यास}}$

सही मिलान है $:-$

निम्नलिखित में से कौन सा क्रम उल्लेखित गुणों के संदर्भ में $NOT$ (सही नहीं) है?

निम्नलिखित कथनों के लिए सत्य $(T)$ या असत्य $(F)$ निर्दिष्ट करें और अपने उत्तर के लिए सही विकल्प चुनें:
$(I)$ $O_{(g)}$ की $I.P.$,$O^{-}_{(g)}$ की $I.P.$ से कम है।
$(II)$ $Ne_{(g)}$ की $I.P.$,$Ne^{+}_{(g)}$ की $I.P.$ से अधिक है।
$(III)$ $O^{+}_{(g)}$ की $E.A.$,$O_{(g)}$ की $E.A.$ से अधिक है।
$(IV)$ $N_{(g)}$ की $I.P.$,$N^{+}_{(g)}$ की $I.P.$ से अधिक है।