ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરને કોના દ્વારા સમજાવી શકાય છે?

જ્યારે કોઈ ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને $v$ આવૃત્તિના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માટેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_{0}$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $\frac{v}{2}$ આવૃત્તિના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V_{0}}{4}$ થાય છે. ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

એક ફોટો-એમિસિવ પદાર્થને $\lambda_i$ તરંગલંબાઈના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે જેથી તે $\lambda_c$ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન મુક્ત કરે છે. ફોટોઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરી શકે તેવા વિકિરણની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ $\lambda_0$ છે. ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ માટેનું સૂત્ર શું છે? ($m$: ઇલેક્ટ્રોનનું દળ,$h$: પ્લાન્કનો અચળાંક અને $c$: પ્રકાશની ઝડપ).

જ્યારે પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. આ ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે:

$1.07 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $332 nm$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનને ઉત્સર્જન કરતા અટકાવવા માટે જરૂરી રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ (સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ) .............. $V$ છે.

$P.E.E.$ ના પ્રયોગમાં,ઇલેક્ટ્રોનનો $KE_{max}$ એ $K_0$ છે. જો આવૃત્તિને $n_1$ ના ગુણાંકમાં વધારવામાં આવે,તો $KE_{max}$ એ $n_2K_0$ થાય છે. વર્ક ફંક્શન શોધો.