$4560 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો $1 \ mW$ પ્રકાશ $1.9 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી સીઝિયમ સપાટી પર આપાત થાય છે. જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનની ક્વોન્ટમ કાર્યક્ષમતા $0.5\%$ હોય,પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.62 \times 10^{-34} \ J \cdot s$ અને પ્રકાશનો વેગ $c = 3 \times 10^8 \ m/s$ હોય,તો અનુરૂપ ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ શોધો.

એલ્યુમિનિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $4.2 \ eV$ છે. જો $3.5 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતા બે ફોટોન એલ્યુમિનિયમના એક ઇલેક્ટ્રોન પર આપાત થાય, તો ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન:

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,$200 \ W$ પાવર ધરાવતા મોનોક્રોમેટિક પ્રકાશનું સમાંતર કિરણપુંજ $6.25 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતા સંપૂર્ણ શોષક કેથોડ પર આપાત થાય છે. પ્રકાશની આવૃત્તિ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કરતા સહેજ વધારે છે જેથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન નગણ્ય ગતિ ઊર્જા સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે. ધારો કે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જન કાર્યક્ષમતા $100 \%$ છે. કેથોડ અને એનોડ વચ્ચે $500 \ V$ નો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત લાગુ કરવામાં આવે છે. બધા ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોન એનોડ પર લંબરૂપે આપાત થાય છે અને શોષાય છે. ઈલેક્ટ્રોનના અથડામણને કારણે એનોડ $F = n \times 10^{-4} \ N$ બળ અનુભવે છે. $n$ નું મૂલ્ય શોધો.
ઈલેક્ટ્રોનનું દળ $m_e = 9 \times 10^{-31} \ kg$ અને $1.0 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J$.

વક્રો $(1)$,$(2)$,$(3)$ અને $(4)$ પ્રકાશની બે અલગ-અલગ તીવ્રતા $(I_1 > I_2)$ પર લાગુ કરેલ વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $(V)$ અને ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ $(i)$ વચ્ચેનો ફેરફાર દર્શાવે છે. કઈ આકૃતિમાં સાચો ફેરફાર દર્શાવેલ છે?

ફોટોસેલ માટે પ્રવાહ $(i)$ અને વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $(V)$ વચ્ચેનો આલેખ કેવો હશે?

સોડિયમની સપાટી પર $4000 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,જ્યાં ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5420 \ \mathring A$ છે. સોડિયમનું કાર્ય વિધેય ............ $eV$ છે.