મેક્સવેલના સમીકરણો નીચેનામાંથી કોના મૂળભૂત નિયમોનું વર્ણન કરે છે?

$1 \ \mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચેનો વોલ્ટેજ $4 \ V/s$ ના દરે બદલાઈ રહ્યો છે. કેપેસીટરમાં સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) કેટલો હશે ($\mu A$ માં)?

$A = 16 \ cm^2$ ક્ષેત્રફળ અને $10 \ cm$ પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $DC$ પ્રવાહ દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે. કેપેસિટરની અંદર અને પ્લેટોને સમાંતર $A_0 = 3.2 \ cm^2$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી એક કાલ્પનિક સમતલ સપાટી ધ્યાનમાં લો. એક ક્ષણે,સર્કિટમાંથી વહેતો પ્રવાહ $6 \ A$ છે. તે જ ક્ષણે $A_0$ માંથી વહેતો સ્થાનાંતર પ્રવાહ . . . . . . $mA$ છે.

$R$ ત્રિજ્યા ધરાવતી ગોળાકાર પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ચાર્જ કરવામાં આવે છે. દર્શાવેલ ક્ષણે,પ્લેટો વચ્ચેના $\frac{R}{2}$ અને $R$ ની વચ્ચેના વિસ્તારમાં સ્થાનાંતર પ્રવાહ કેટલો હશે?

મેક્સવેલના મત અનુસાર,બદલાતું જતું વિદ્યુતક્ષેત્ર ....... ઉત્પન્ન કરે છે.

$2.5 \mu \text{F}$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચે સમય સાથે બદલાતો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત લાગુ પાડવામાં આવે છે. કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચેના માધ્યમનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $1$ છે. તે કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $0.25 \text{ mA}$ નો તત્કાલિન સ્થાનાંતર પ્રવાહ ઉત્પન્ન કરે છે. વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવતમાં થતા ફેરફારનો દર . . . . . . $\text{V s}^{-1}$ હશે.