लैंथेनॉइड संकुचन किसके कारण होता है?

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Question

(B) लैंथेनॉइड संकुचन का मुख्य कारण $4f$ इलेक्ट्रॉनों द्वारा बाहरी कोश के इलेक्ट्रॉनों का दुर्बल परिरक्षण (poor shielding) है।चूंकि $4f$ कक्षकों की आकृ

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$4f$ इलेक्ट्रॉनों द्वारा नाभिकीय आवेश से बाहरी इलेक्ट्रॉनों का अपूर्ण परिरक्षण (shielding)

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(B) लैंथेनॉइड संकुचन का मुख्य कारण $4f$ इलेक्ट्रॉनों द्वारा बाहरी कोश के इलेक्ट्रॉनों का दुर्बल परिरक्षण (poor shielding) है।चूंकि $4f$ कक्षकों की आकृति विसरित (diffuse) होती है,इसलिए उनका परिरक्षण प्रभाव अपूर्ण होता है।परिणामस्वरूप,बाहरी इलेक्ट्रॉनों द्वारा अनुभव किया जाने वाला प्रभावी नाभिकीय आवेश बढ़ जाता है,जिससे नाभिक बाहरी कोश के इलेक्ट्रॉनों को अधिक मजबूती से आकर्षित करता है,जिसके कारण लैंथेनॉइड श्रेणी में परमाणु और आयनिक त्रिज्याओं में कमी आती है।

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