$PN-$ જંકશનના ફોરવર્ડ બાયસિંગના કિસ્સામાં,નીચેનામાંથી કઈ આકૃતિ ચાર્જ કેરિયર્સના પ્રવાહની દિશાને યોગ્ય રીતે દર્શાવે છે?

એક $p-n$ જંકશન ડાયોડને $8 \, V$ ના વોલ્ટેજ સાથે રિવર્સ બાયસ કરવામાં આવે છે. જો ડાયોડનો અવરોધ $4 \times 10^7 \, \Omega$ હોય, તો રિવર્સ સેચ્યુરેશન કરંટ કેટલો હશે ($ \, \mu A$ માં)?

આપેલ પરિપથમાં આદર્શ $P-N$ જંકશન ડાયોડમાંથી વહેતો પ્રવાહ .......$mA$ છે.

સેમિકન્ડક્ટર જર્મેનિયમ ક્રિસ્ટલ $A$ અને $B$ ની બે બાજુઓને અનુક્રમે આર્સેનિક અને ઇન્ડિયમ સાથે ડોપ કરવામાં આવી છે. તેમને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ બેટરી સાથે જોડવામાં આવ્યા છે. આ ગોઠવણ માટે પ્રવાહ અને વોલ્ટેજ વચ્ચેનો સાચો આલેખ કયો છે?

નીચે આપેલા સિલિકોન-આધારિત ટ્રાન્ઝિસ્ટર સર્કિટમાં $V_{CE}$ શોધો. ($V$ માં)

જ્યારે $p-n$ જંકશન પર વોલ્ટેજ $V$ લાગુ કરવામાં આવે ત્યારે તેમાંથી પસાર થતો પ્રવાહ $I = I_0 \left( e^{\frac{V}{2 V_T}} - 1 \right)$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $I_0$ અને $V_T$ અચળાંકો છે. જો $r_d(I)$ એ જંકશનનો ડાયનેમિક અવરોધ હોય,તો $r_d(1000 I_0) = \alpha r_d(10 I_0)$,જ્યાં $\alpha$ આશરે કોના બરાબર છે?