ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,કટ-ઓફ વોલ્ટેજ વિરુદ્ધ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિના આલેખનો ઢાળ $4.12 \times 10^{-15} \; V \cdot s$ મળે છે. પ્લાન્કનો અચળાંક શોધો.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,કેથોડ ધાતુને $600 \ nm$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશમાં રાખવામાં આવે છે. જ્યારે $400 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ વાપરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બમણી થાય છે. કેથોડ ધાતુનું વર્ક ફંક્શન આશરે કેટલું હશે ($eV$ માં)? [ $h=6.63 \times 10^{-34} \ J-s, c=3 \times 10^8 \ m/s$ નો ઉપયોગ કરો ]

ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ઋણ કેમ હોઈ શકે નહીં?

$5.01 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી નિકલની સપાટી પર $200 \, nm$ ની અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી ફોટોઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ તફાવત ............... $V$ હોવો જોઈએ.

તરંગલંબાઈ $\lambda$ અને પ્રકાશની તીવ્રતા $L$ ધરાવતો પ્રકાશનો કિરણપુંજ સોડિયમની શુદ્ધ સપાટી પર આપાત થાય છે. જો $N$ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય અને દરેકની ગતિઊર્જા $E$ હોય,તો

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થની સપાટીનું કાર્ય વિધેય $6.2\, eV$ છે. આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઇ,જેના માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $5\, V$ છે,તે કયા વિસ્તારમાં આવેલી છે?