एक $n-p-n$ ट्रांजिस्टर एम्पलीफायर में,संग्राहक (collector) धारा $8 \ mA$ है। यदि उत्सर्जक (emitter) से $80 \%$ इलेक्ट्रॉन संग्राहक तक पहुँचते हैं,तो ($\alpha$ और $\beta$ धारा अनुपात हैं):

तीन एम्पलीफायर,जिनमें से प्रत्येक का वोल्टेज गेन $10$ है,श्रेणीक्रम में जोड़े गए हैं। परिणामी गेन होगा

एक ट्रांजिस्टर का उपयोग $2 \ k\Omega$ के लोड प्रतिरोध के साथ कॉमन एमिटर एम्पलीफायर के रूप में किया जाता है। इनपुट प्रतिरोध $150 \ \Omega$ है। बेस करंट में $20 \ \mu A$ का परिवर्तन होता है,जिसके परिणामस्वरूप कलेक्टर करंट में $1.5 \ mA$ का परिवर्तन होता है। एम्पलीफायर का वोल्टेज गेन क्या है?

नीचे दो कथन दिए गए हैं:
कथन $I:$ एक सामान्य ट्रांजिस्टर में,तीनों क्षेत्रों उत्सर्जक (emitter),आधार (base) और संग्राहक (collector) में समान डोपिंग स्तर होता है।
कथन $II:$ एक ट्रांजिस्टर में,संग्राहक सबसे मोटा और आधार सबसे पतला खंड होता है।
उपरोक्त कथनों के आलोक में,नीचे दिए गए विकल्पों में से सबसे उपयुक्त उत्तर चुनें।

एक $n-p-n$ ट्रांजिस्टर की आउटपुट विशेषताएँ क्या दर्शाती हैं? ($I_C =$ संग्राहक धारा,$V_{CE} =$ संग्राहक और उत्सर्जक के बीच विभवांतर,$I_B =$ आधार धारा,$V_{BB} =$ आधार को दिया गया वोल्टेज,$V_{BE} =$ आधार और उत्सर्जक के बीच विभवांतर)

एक $CE$ ट्रांजिस्टर में,जब आधार धारा (base current) $60 \mu A$ बढ़ जाती है,तो आधार-उत्सर्जक वोल्टेज (base-emitter voltage) में परिवर्तन $1.2 \ V$ होता है। तब इनपुट प्रतिरोध (input resistance) है: ($Omega$ में)