एक ट्रांजिस्टर में,बेस को बहुत पतला बनाया जाता है और अशुद्धि के साथ हल्का डोप किया जाता है क्योंकि:

  • A
    कलेक्टर को एमिटर की तरफ से आने वाले $95\%$ होल्स या इलेक्ट्रॉनों को इकट्ठा करने में सक्षम बनाने के लिए
  • B
    एमिटर को कम संख्या में होल्स या इलेक्ट्रॉनों का उत्सर्जन करने में सक्षम बनाने के लिए
  • C
    ट्रांजिस्टर को उच्च धारा प्रभावों से बचाने के लिए
  • D
    उपरोक्त में से कोई नहीं

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एक प्रयोग में,$CE$ कॉन्फ़िगरेशन $n-p-n$ ट्रांजिस्टर के लिए अलग-अलग आउटपुट वोल्टेज पर इनपुट विशेषताएँ दिखाई गई हैं। ग्राफ के आधार पर,निम्नलिखित में से कौन सा सही है?

$CE$ मोड में ट्रांजिस्टर की इनपुट विशेषताएँ किस ग्राफ द्वारा प्राप्त की जाती हैं?

ट्रांजिस्टर के लिए करंट गेन (current gains) के $\alpha$ और $\beta$ मापदंडों के बीच का संबंध किसके द्वारा दिया जाता है?

एक $n-p-n$ ट्रांजिस्टर में तीन लीड $A, B$ और $C$ हैं। $B$ और $C$ को नम उंगलियों से जोड़ने पर,$A$ को एमीटर के धनात्मक सिरे से और $C$ को एमीटर के ऋणात्मक सिरे से जोड़ने पर,बड़ी विक्षेप (deflection) दिखाई देती है। तब,$A, B$ और $C$ क्रमशः क्या दर्शाते हैं?

जब एक कॉमन एमिटर ट्रांजिस्टर एम्पलीफायर के साथ इनपुट सिग्नल जोड़ा जाता है,तो बेस और एमिटर के बीच $0.04 \ V$ का परिवर्तन होता है। परिणामस्वरूप,बेस करंट में $20 \ \mu A$ का परिवर्तन और कलेक्टर करंट में $2 \ mA$ का परिवर्तन होता है। इनपुट प्रतिरोध और $AC$ करंट गेन क्या हैं?

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